[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210048831.7 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102969233A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡雯琪;赖加瀚;陈永君;王美匀;吴启明;陈方正;陈煌明;雷明达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底之上形成介电层；
穿过所述介电层形成开口，所述开口包括底部和侧壁；
沿着所述开口的侧壁和所述开口的底部形成衬垫；
沿着所述开口的底部去除所述衬垫的一部分，从而露出所述衬底的一部分；
沿着所述侧壁来清洁具有所述衬垫的所述衬底；以及
利用导电材料填充所述开口。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：沿着所述衬底的表面形成硅化物，形成所述硅化物的步骤发生在去除所述衬垫的所述一部分之后以及利用导电材料填充所述开口之前。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述开口之后以及在清洁所述衬底之前，在所述衬底内形成注入区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，在形成所述衬垫之后以及在去除所述衬垫的所述一部分之前执行形成所述注入区域的步骤。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，在去除所述衬垫的所述一部分之后执行形成所述注入区域的步骤。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述注入区域的步骤仅穿过所述衬垫将离子注入所述衬底。
7.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述注入区域的步骤穿过所述衬垫和蚀刻停止层注入离子。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，在利用所述导电材料填充所述开口之前，从所述侧壁去除所述衬垫。
9.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在第一介电层中形成第一开口，以露出衬底的一部分；
利用第一衬垫对所述第一开口加衬；
在所述第一衬垫中形成第二开口，以露出所述衬底的所述一部分；
清洁所述衬底的所述一部分；
穿过所述第二开口，沿着所述衬底的所述一部分的表面形成硅化物；以及
在所述第一开口和所述第二开口中形成第一导电材料，所述第一导电材料与所述硅化物接触。
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：将离子注入所述衬底，其中，在利用所述第一衬垫对所述第一开口加衬之后以及在形成所述第二开口之前执行将离子注入所述衬底的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
