[发明专利]低压差分信号接收器无效
申请号: | 201210048553.5 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN103296984A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 彭光宇;邵婉新;施思 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;李峥宇 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 信号 接收器 | ||
1.一种低压差分信号LVDS接收器,包括:
第一类型输入级和第二类型输入级,分别用于将输入的LVDS信号转换成内部差分信号;
共模电压确定电路,用于确定输入的LVDS信号的共模电压;
输入级选择电路,用于将共模电压与参考电压进行比较,并根据比较结果输出使能信号,其中在所述共模电压大于所述参考电压的情况下,所述使能信号为第一逻辑电压,该第一逻辑电压使得第一类型输入级处于工作状态而第二类型输入级处于空闲状态,并且其中在所述共模电压小于所述参考电压的情况下,所述使能信号为第二逻辑电压,该第二逻辑电压使得第二类型输入级处于工作状态而第一类型输入级处于空闲状态,
其中所述第一类型输入级是NMOS输入级和PMOS输入级中的一种,所述第二类型输入级是NMOS输入级和PMOS输入级中的另外一种。
2.如权利要求1所述的LVDS接收器,其中在下述情况下,所述使能信号发生从第一逻辑电压到第二逻辑电压的切换:
所述共模电压从大于所述参考电压变为小于所述参考电压,且
所述共模电压与所述参考电压的差的绝对值大于第一阈值。
3.如权利要求1所述的LVDS接收器,其中在下述情况下,所述使能信号发生从第二逻辑电压到第一逻辑电压的切换:
所述共模电压从小于所述参考电压变为大于所述参考电压,且
所述共模电压与所述参考电压的差的绝对值大于第二阈值。
4.如权利要求2或3所述的LVDS接收器,其中所述输入级选择电路是带施密特触发器的比较器。
5.如权利要求1所述的LVDS接收器,其中所述输入级选择电路由低步频比较器实现。
6.如权利要求1所述的LVDS接收器,其中所述共模电压确定电路的输出通过低通滤波器连接到所述输入级选择电路的输入。
7.如权利要求1所述的LVDS接收器,其中所述参考电压的值大于所述第一类型输入级所能处理的共模电压的下限,并且小于所述第二类型输入级所能处理的共模电压的上限。
8.如权利要求2所述的LVDS接收器,其中所述参考电压减去所述第一阈值得到的值大于所述第一类型输入级所能处理的共模电压的下限。
9.如权利要求3所述的LVDS接收器,其中所述参考电压加上所述第二阈值得到的值小于所述第二类型输入级所能处理的共模电压的上限。
10.一种芯片,包括如权利要求1到9所述的LVDS接收器。
11.一种接收LVDS信号的方法,包括:
获取所接收的LVDS信号的共模电压;
将所述共模电压和参考电压进行比较;以及
响应于所述共模电压大于所述参考电压,使得第一类型输入级处于工作状态而第二类型输入级处于空闲状态,并且响应于所述共模电压小于所述参考电压,使得第二类型输入级处于工作状态而第一类型输入级处于空闲状态,
其中所述第一类型输入级是NMOS输入级和PMOS输入级中的一种,所述第二类型输入级是NMOS输入级和PMOS输入级中的另外一种。
12.如权利要求11所述的方法,其中响应于所述共模电压大于所述参考电压使得第一类型输入级处于工作状态而第二类型输入级处于空闲状态包括:
响应于所述共模电压从小于所述参考电压变化为大于所述参考电压,并且所述共模电压与所述参考电压的差的绝对值大于第二阈值,将所述第一类型输入级从空闲状态切换为工作状态,并且将所述第二类型输入级从工作状态切换为空闲状态。
13.如权利要求11所述的方法,其中响应于所述共模电压小于所述参考电压使得第二类型输入级处于工作状态而第一类型输入级处于空闲状态包括:
响应于所述共模电压从大于所述参考电压变为小于所述参考电压,并且所述共模电压与所述参考电压的差的绝对值大于第一阈值,将所述第一类型输入级从工作状态切换为空闲状态,并且将所述第二类型输入级从空闲状态切换为工作状态。
14.如权利要求11所述的方法,其中将所述共模电压和参考电压进行比较包括:
将指示所述共模电压的信号通过低通滤波器后与参考电压进行比较。
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