[发明专利]气敏电阻材料及其制备方法

权利要求书

1.一种气敏电阻材料，该材料为以下通式的化合物：RFe₂O₄(RFeO₃)_n，其中R为Y、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或In，n等于0或1。

2.根据权利要求1所述的气敏电阻材料，其特征在于，所述材料为单晶或多晶。

3.一种制备气敏电阻材料RFe₂O₄的方法，包括以下步骤：

步骤1)：将R₂O₃和Fe₂O₃按照摩尔比1∶2充分混合，在CO₂和H₂的气氛下烧结，温度为1000℃至1300℃，然后冷却至室温，得到RFe₂O₄粉末；其中R为Y、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或In；

步骤2)：将已得到的多晶粉末置于铂金坩埚中并被加热到1500℃-1700℃，固体被融化，然后冷却至900℃。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤1)包括在1200℃下烧结，然后随炉冷却至室温。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤2)包括加热到1620℃。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤2)包括以1℃/min的速度冷却至900℃。

7.一种制备气敏电阻材料RFe₃O₇的方法，包括以下步骤：

步骤1)：将R₂O₃和Fe₂O₃按照摩尔比2∶3充分混合，混合均匀后压制成片，放入管式炉中，在CO₂与H₂混合气氛下烧结；

步骤2)：当步骤1)得到的产物温度降至900℃时，将产物放入冰水混合物中淬火。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤1)中的烧结时间为48小时。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤1)中的烧结温度为1200℃。