[发明专利]钼的碳化物的高温高压制备方法无效

专利信息
申请号: 201210048075.8 申请日: 2012-02-28
公开(公告)号: CN102583380A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 崔田;毛镇澎;朱品文;刘冰冰;何志 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C01B31/34 分类号: C01B31/34
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 碳化物 高温 高压 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于一种超硬材料制备的技术领域,特别涉及主要组分为碳化钼(MoC)或碳化二钼(Mo2C)的钼的碳化物高温高压的制备方法。

背景技术

超硬材料以其耐高压、抗磨损、化学性质稳定等特性,作为切削、打磨、抛光等加工工具的材料,作为机械部件上的抗磨损涂层等,在军事、工业等领域有重大用途,是一个国家制造业的水平的重要体现。现有的超硬材料金刚石与立方氮化硼的应用都有一定的局限性。寻找新型、多功能的超硬材料一直是材料学、物理学、工程学的热点领域。过渡族金属碳化物是一种潜在的多功能超硬材料,具有很高的熔点以及良好的热稳定性和机械稳定性,还有极好的抗腐蚀作用。除此之外,钼碳化合物还有类似贵金属的电子结构以及良好的催化作用。

一般合成过渡族金属碳化物,采用球磨法,气相沉积法或者离子熔融法,但是反应生成的碳化物都为粉末状物质,对性质测量造成困难。此外,在单一元素的碳化物中,不同化学计量配比的碳可与该元素形成多种成分的化合物,而且在合成过程中容易出现碳缺失。这些因素不仅造成了制备单一相的碳化物十分困难,还容易在该化合物中引入除了Mo与C元素外的杂质。

发明内容

本发明要解决的技术问题是采用新的制备钼的碳化物材料的方法——高压合成方法,该方法不采用任何助熔剂,主要通过原料的配比、合成温度和压力来调整钼的碳化物的材料组分和纯度,制备出较高纯度的钼碳化合物;并且该方法易于实施。

本发明所述的锰的硼化物主要组分是MoC(碳化钼)或Mo2C(碳化二钼)。本发明的具体技术方案时如下所述。

一种钼的碳化物的高温高压制备方法,所述的钼的碳化物主要组分是MoC或Mo2C;制备方法是:以钼粉(Mo)和碳粉(C)为原料,经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得钼的碳化物材料;所述的混料压块,是将钼粉和碳粉按摩尔比2∶1~4进行混合,按合成腔体大小压成块状;所说的组装,是将块状原料装入加热容器,放入合成腔体中;所述的高温高压合成,是在高压装置上进行,在压力为1.0~6.0GPa、温度为1300~2000K下保温保压10~120分钟;所述的冷却卸压,是停止加热后自然冷却后卸压。合成的产物是钼的碳化物块状烧结体。

本发明的合成实验可以在国产DS029B型六面顶压机上完成。实验表明,合成压力的大小、温度、原材料的配比是影响钼的碳化物材料相及其纯度的重要因素,最佳原料配比是钼粉和碳粉按摩尔比为1∶1.2~2和2∶1.2,在此配比下可以合成出单一相的MoC或Mo2C;最佳合成压力范围为5.0~6.0GPa,最佳合成温度范围为1650~1800K,保温保压30~60分钟。

所述的冷却卸压,可以是停止加热后先保压3~8分钟后卸压,再自然冷却至室温。这样有利于对设备的保护、减少压机的使用时间、提高压力的使用效率。

为了保持样品腔体温度均匀性,组装可以是旁热式加热方式;为了使合成钼的碳化物材料及原料在制备中不被氧化,合成腔体内可以充氩气保护。

本发明方法简单,易于实施;不采用任何(比如金属铝等)助熔剂;通过原料的配比、合成温度和压力来调整MoC或Mo2C材料的组分及其纯度,并制备出较高纯度的MoC或Mo2C。

附图说明

图1是本发明实施例1制备的钼碳化合物X光衍射图。

图2是本发明实施例2制备的钼碳化合物X光衍射图。

图3是本发明实施例3制备的钼碳化合物X光衍射图。

图4是本发明实施例4制备的钼碳化合物X光衍射图。

具体实施方式

以下实施例都是在国产DS029B型六面顶压机上完成的。

实施例1

将分析纯的粒度1~5微米的钼粉(Mo)与粒度1~5微米的碳粉(C)按摩尔比2∶1.2混合,粉压成型后,将样品装入高压腔体中。组装腔体中用石墨作加热管,用叶腊石做绝缘管,合成压力为5.0GPa,温度1650K,保压保温时间60分钟,停止加热后样品自然冷却至室温后卸压,此条件制备出纯相的Mo2C。具体的X光结果见图1。

实施例2

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