[发明专利]一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201210047956.8 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102534772A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;游达;胡亚兰;杨晓琴;武鹏 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 晶粒 铸造 多晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、将多个单晶硅块作为籽晶，平铺在坩埚底部；所述多个籽晶的晶向相同；
步骤二、将多晶硅料和掺杂剂置于坩埚中；
步骤三、加热，控制温度使所述多晶硅料和所述掺杂剂完全融化，同时籽晶不完全熔化；及
步骤四、降低与籽晶接触的熔融硅液的温度，使所述硅液沿不完全熔化的籽晶定向凝固生长，得到与所述籽晶的晶向相同的大晶粒铸造多晶硅。
2.根据权利要求1所述的生长大晶粒铸造多晶硅的方法，其特征在于：步骤一中，籽晶与籽晶之间紧密地排列。
3.根据权利要求1所述的生长大晶粒铸造多晶硅的方法，其特征在于：步骤一中，籽晶为多边形。
4.根据权利要求3所述的生长大晶粒铸造多晶硅的方法，其特征在于：所述多边形籽晶的相邻接触晶面之间形成大于0度且小于180度的夹角。
5.根据权利要求1所述的生长大晶粒铸造多晶硅的方法，其特征在于：所述籽晶的厚度为0.5～6cm。
6.根据权利要求5所述的生长大晶粒铸造多晶硅的方法，其特征在于：所述籽晶的厚度为0.5～2cm。
7.根据权利要求1所述的生长大晶粒铸造多晶硅的方法，其特征在于：步骤三至步骤四是在真空或惰性气氛下进行。
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