[发明专利]自对准导电凸块结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210047895.5 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102903696A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 黄震麟;陈依婷;施应庆;蔡柏豪;卢思维;林俊成;郑心圃;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 导电 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
基板，包括主表面；以及
导电凸块，分布在所述基板的所述主表面之上，其中，所述导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体，并且所述导电凸块的第二子集中的每个都包括环形体。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述规则体具有第一厚度，并且所述环形体具有大于所述第一厚度的第二厚度，或者其中，所述环形体包括基本垂直的侧壁，或者
其中，所述环形体包括锥形侧壁，或者
其中，所述环形体的自顶向下的视图包括选自圆形、正方形和矩形的形状。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电凸块是热可回流材料，或者
其中，所述导电凸块包括Sn、SnAg、Sn-Pb、SnAgCu、SnAgZn、SnZn、SnBi-In、Sn-In、Sn-Au、SnPb、SnCu、SnZnIn、或SnAgSb。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电凸块是不可回流材料，或者其中，所述导电凸块包括Cu、Ag、Au、Cu合金、Ag合金、或Au合金。
5.一种半导体器件，包括：
基板，包括主表面；以及
导电凸块，分布在所述基板的所述主表面之上，其中，所述导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体，并且所述导电凸块的第二子集中的每个都包括均匀地分布在中心开口外围周围的一组独立的导电凸块。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述规则体具有第一厚度，并且所述独立的导电凸块中的每个都具有基本等于所述第一厚度的第二厚度，或者其中，所述一组独立的导电凸块包括至少三个导电凸块，或者其中，所述独立的导电凸块中的每个都包括基本垂直的侧壁，或者其中，所述独立的导电凸块中的每个都包括锥形侧壁。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述导电凸块是热可回流材料，或者其中，所述导电凸块是不可回流材料。
8.一种制造导电凸块结构的方法，包括：
提供包括主表面的基板；
在所述主表面之上形成感光层；
图案化所述感光层，以形成分布在所述基板的所述主表面之上的开口，其中，所述开口的第一子集中的每个都包括规则开口，并且所述开口的第二子集中的每个都包括中心定位体；
电镀开口的所述第一子集中的导电凸块的第一子集和开口的所述第二子集中的导电凸块的第二子集；以及
去除所述感光层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述导电凸块的所述第二子集中的每个都包括环形体，其中，所述中心定位体包括多个径向延伸的肋。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述导电凸块的所述第二子集中的每个都包括均匀地分布在中心开口外围周围的一组独立的导电凸块。
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