[发明专利]像素单元驱动电路、像素单元驱动方法以及像素单元

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种像素单元驱动电路、像素单元驱动方法以及像素单元。

背景技术

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)能够发光是由驱动TFT在饱和状态时产生的电流所驱动，因为输入相同的灰阶电压时，不同的临界电压会产生不同的驱动电流，造成电流的不一致性。LTPS(低温多晶硅)制程上Vth(晶体管阈值电压)的均匀性非常差，同时Vth也有漂移，如此传统的2T1C电路亮度均匀性一直很差。

传统的2T1C像素单元驱动电路如图1所示，电路只含有两个TFT，T1用作开关，DTFT用于像素驱动。传统的2T1C像素单元驱动电路操作也比较简单，对该2T1C像素单元驱动电路的控制时序图如图2所示，当扫描线Scan输出的扫描电平Vscan为低时，T1打开，数据线Data上的灰阶电压对电容C充电，当扫描电平为高时，T1关闭，电容C用来保存灰阶电压。由于VDD(驱动电源高电平输出端输出的电压)较高，因此DTFT处于饱和状态，OLED的驱动电流I＝K(Vsg-|Vth|)²＝K(VDD-Vdata-|Vth|)²，Vsg是DTFT的源极和栅极之间的电压差值，Vdata为数据线Data上的灰阶电压，K是一个与晶体管尺寸和载流子迁移率有关的常数，一旦TFT尺寸和工艺确定，K确定。该2T1C像素单元驱动电路的驱动电流公式中包含了Vth，如前所述，由于LTPS工艺的不成熟，即便是同样的工艺参数，制作出来的面板不同位置的TFT的Vth也有较大差异，导致了同一灰阶电压下OLED的驱动电流不一样，因此该驱动方案下的面板不同位置亮度会有差异，亮度均一性差。同时随着OLED面板使用的延长，OLED材料逐渐老化，导致OLED发光的临界电压上升，同样的电流下，OLED材料发光效率下降，面板亮度降低。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种像素单元驱动电路、像素单元驱动方法以及像素单元，可以补偿驱动薄膜晶体管的临界电压，同时补偿OLED材料老化临界电压上升导致的驱动电流下降。

为了达到上述目的，本发明提供了一种像素单元驱动电路，用于驱动OLED，包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容、驱动控制单元和充电控制单元，其中，

所述驱动薄膜晶体管的栅极，与所述存储电容的第一端连接，还通过所述充电控制单元与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接；

所述驱动薄膜晶体管的源极，与所述OLED连接，并通过所述驱动控制单元与所述存储电容的第二端连接；

所述驱动薄膜晶体管的漏极，通过所述第一开关元件与驱动电源连接；

所述存储电容Cs的第二端，还通过所述充电控制单元与所述驱动电源连接；

所述驱动控制单元，还分别与所述驱动电源和所述OLED连接；

所述充电控制单元，还分别与数据线和所述OLED连接。

实施时，所述驱动薄膜晶体管是p型薄膜晶体管；

所述驱动薄膜晶体管的源极与所述OLED的阴极连接；

所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述第一开关元件与驱动电源的低电平输出端连接；

所述存储电容的第二端通过所述充电控制单元与所述驱动电源的低电平输出端连接。

实施时，所述第一开关元件为第一薄膜晶体管，所述驱动控制单元包括第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，所述充电控制单元包括第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管，栅极与第一控制线连接，漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接；

所述第二薄膜晶体管，栅极与第二控制线连接，源极与所述驱动电源的高电平输出端连接，漏极与所述OLED的阳极连接；

所述第三薄膜晶体管，栅极与第二控制线连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接，漏极与所述存储电容的第二端连接；

所述第四薄膜晶体管，栅极与第一控制线连接，漏极与所述存储电容的第一端连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接；

所述第五薄膜晶体管，栅极与第一控制线连接，源极与所述驱动电源的低电平输出端连接，漏极与所述存储电容的第二端连接；

所述第六薄膜晶体管，栅极与第一控制线连接，源极与所述OLED的阳极连接，漏极与数据线连接；