[发明专利]一种阵列基板及液晶显示装置有效
申请号: | 201210047869.2 | 申请日: | 2012-02-27 |
公开(公告)号: | CN102629061A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 李明超;鲁姣明;柳在健 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/02 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示器的制造领域,尤其涉及一种阵列基板及液晶显示装置。
背景技术
液晶显示器是目前最广泛使用的一种平板显示器,具有低功耗、外形薄、重量轻以及低驱动电压等特征。随着液晶平板显示技术的发展,高端液晶显示器正向着高对比度、增大V-T(电压-透光率)曲线的梯度、快速响应等方向发展。
VA(Vertical Alignment,垂直配向技术)液晶显示面板包括:对盒成型的阵列基板和彩膜基板,以及在两基板之间的液晶层;其中,液晶层中液晶分子的排列方式为垂直状。在不加电压时,液晶分子垂直于基板表面排列;在通入开启电压时,像素电极和公共电极之间产生电场,在电场作用下使得液晶分子旋转,将转向与该电场垂直的方向排列,即使得液晶分子的排列方式由垂直态转为水平态,使得一部分光从检偏器射出,得到亮态显示。TBA(Transverse Bend Alignment,横向弯曲排列的液晶显示模式)模式是液晶显示面板中水平电场和垂直电场向混合的一种VA模式。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及液晶显示装置,具体提供了一种新型的具体有增大V-T(电压-透光率)曲线的梯度,对比度,较理想的响应时间等优点的四畴电极结构的阵列基板及液晶显示装置。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种阵列基板,包括:栅线、数据线,以及所述栅线和数据线限定的像素单元;其中,所述像素单元中形成有同层设置的像素电极和公共电极;所述公共电极与所述像素电极均为梳状结构,且所述公共电极的梳齿和所述像素电极的梳齿交替设置;所述梳状结构的每一梳齿由结点分为方向不同的上梳齿和下梳齿,且所有上梳齿相互平行,所有下梳齿相互平行;相邻的像素电极和公共电极,两上梳齿间的间距与两下梳齿间的间距不相等。
一种液晶显示装置,包括:阵列基板,彩膜基板,所述阵列基板为上述阵列基板。
本发明实施例提供了一种阵列基板及液晶显示装置,通过将公共电极与像素电极设置为梳状结构,公共电极的梳齿和像素电极的梳齿交替设置,每一梳齿由结点分为上梳齿和下梳齿,所有上梳齿相互平行,所有下梳齿相互平行,并且相邻的像素电极和公共电极,两上梳齿间的间距与两下梳齿间的间距不相等,制作了一种新型的四畴电极结构,包含了这种新型的四畴电极结构的阵列基板及液晶显示装置具有增大V-T(电压-透光率)曲线的梯度,对比度,较理想的响应时间等优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元的结构示意图之一;
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元的结构示意图之二;
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元的结构示意图之三;
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元的结构示意图之四;
图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元的结构示意图之五;
图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元的结构示意图之六;
图7为本发明实施例提供的一种不规则结点与规则结点在同一条直线上的局部放大示意图;
图8为本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元的结构示意图之八;
图9为本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元的结构示意图之九;
图10为本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元的结构示意图之十;
图11为本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元的结构示意图之十一;
图12为本发明实施例提供的一种增大V-T(电压-透光率)曲线的梯度模拟结果的示意图;
图13为本发明实施例提供的一种增大灰度级-透过度模拟结果的示意图;
附图标记:
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