[发明专利]钛掺杂镓酸镧发光材料、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种钛掺杂镓酸镧发光材料，其特征在于：其化学式为La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺，其中LaGaO₃是基质，Ti元素是激活元素，0.03≤x≤0.12。

2.一种钛掺杂镓酸镧发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺各元素的化学计量比称取La₂O₃、Ga₂O₃和TiO₂粉体并混合均匀，其中0.03≤x≤0.12；及

将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到化学式为La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺的钛掺杂镓酸镧发光材料。

3.一种钛掺杂镓酸镧发光薄膜，其特征在于，该钛掺杂镓酸镧发光薄膜的材料的化学通式为La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺，其中，LaGaO₃是基质，Ti元素是激活元素，0.03≤x≤0.12。

4.一种钛掺杂镓酸镧发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺各元素的化学计量比称取La₂O₃、Ga₂O₃和TiO₂粉体并混合均匀在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时制成靶材，其中0.03≤x≤0.12；

将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10^-3pa～1.0×10^-5Pa；及

调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为50mm～100mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～4.5Pa，工作气体的流量为15sccm～30sccm，衬底温度为250℃～750℃，接着进行制膜，得到化学式为La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺的钛掺杂镓酸镧发光薄膜。

5.根据权利要求4所述的钛掺杂镓酸镧发光薄膜的制备方法，其特征在于，还包括步骤：将所述钛掺杂镓酸镧发光薄膜于500℃～800℃下真空退火处理1h～3h。

6.根据权利要求4所述的钛掺杂镓酸镧发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述真空腔体的真空度为5.0×10^-4pa，基靶间距为75mm，磁控溅射工作压强为2Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为25sccm，衬底温度为600℃。

7.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为钛掺杂镓酸镧发光材料，该钛掺杂镓酸镧发光材料的化学式为La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺，其中0.03≤x≤0.12。

8.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供具有阳极的衬底；

在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为钛掺杂镓酸镧发光材料，该钛掺杂镓酸镧发光材料的化学式为La_1-xGaO₃:xTi⁴⁺，其中0.03≤x≤0.12；

在所述发光层上形成阴极。