[发明专利]铕掺杂铝硅酸盐发光材料、发光薄膜和薄膜电致发光显示器器件及它们的制备方法无效
申请号: | 201210047768.5 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN103289686A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;H01L33/50 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 硅酸盐 发光 材料 薄膜 电致发光 显示器 器件 它们 制备 方法 | ||
1.铕掺杂铝硅酸盐发光材料,其特征在于,化学结构式为MeAl2-xSi2O8:xEu3+,其中,MeAl2-xSi2O8是基质,Eu元素是激活元素,所述Me选自Mg、Ca、Sr、Zn和Ba中的一种或几种,x值为0.01~0.05。
2.铕掺杂铝硅酸盐发光材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:称取MeO、Al2O3、SiO2和Eu2O3粉体,按摩尔比为1∶1-x/2∶2∶x/2均匀混合,在900~1300℃下烧结3~10小时,得到化学式为MeAl2-xSi2O8:xEu3+的发光材料,其中,MeAl2-xSi2O8是基质,Eu元素是激活元素,所述Me选自Mg、Ca、Sr、Zn和Ba中的一种或几种,x值为0.01~0.05。
3.铕掺杂铝硅酸盐发光薄膜,其特征在于,化学结构式为MeAl2-xSi2O8:xEu3+,其中,MeAl2-xSi2O8是基质,Eu元素是激活元素,所述Me选自Mg、Ca、Sr、Zn和Ba中的一种或几种,x值为0.01~0.05。
4.铕掺杂铝硅酸盐发光薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)制备发光材料:称取MeO、Al2O3、SiO2和Eu2O3粉体,按摩尔比为1∶1-x/2∶2∶x/2均匀混合,在900~1300℃下烧结3~10h,制成发光材料,所述Me选自Mg、Ca、Sr、Zn和Ba中的一种或几种,x值为0.01~0.05;
(2)制备衬底:取带ITO的玻璃衬底,清洗后烘干,制得洁净的衬底;
(3)镀膜:按照脉冲激光沉积法,将所述发光材料和所述洁净的衬底安装在脉冲激光系统的真空腔内,所述发光材料和所述衬底之间的距离为45~95mm,随后用机械泵和分子泵将真空腔抽真空至真空度为1.0×10-3~1.0×10-5Pa,将所述衬底加热至250~750℃,所述过程中通入氧气,所述氧气的流量为10~40sccm,所述氧气的压强为0.5~5Pa,同时打开激光开始沉积薄膜,激光的能量为80~300W,制得化学结构式为MeAl2-xSi2O8:xEu3+的铕掺杂铝硅酸盐发光薄膜,其中,MeAl2-xSi2O8是基质,Eu元素是激活元素,所述Me选自Mg、Ca、Sr、Zn和Ba中的一种或几种,x值为0.01~0.05。
5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述烧结的温度为1250℃。
6.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述发光材料和衬底之间的距离为60mm,所述真空度为5.0×10-4Pa,所述衬底加热至500℃。
7.薄膜电致发光显示器器件,包括依次层叠的具有阳极的衬底、发光层以及阴极层,其特征在于,所述发光层的材质为铕掺杂铝硅酸盐发光薄膜,所述铕掺杂铝硅酸盐发光薄膜的化学结构式为MeAl2-xSi2O8:xEu3+,其中,MeAl2-xSi2O8是基质,Eu元素是激活元素,所述Me选自Mg、Ca、Sr、Zn和Ba中的一种或几种,x值为0.01~0.05。
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