[发明专利]一种新型超级电容充电方法及装置

说明书

技术领域

本发明属于医疗器械技术领域。

背景技术

由于超级电容的超大容量使得上电瞬间电流巨大，为了防止这巨大的电流损伤设备，必须限制超级电容的充电电流。目前多以开关电源充电器为主，其缺点是电路较为复杂，成本较高，现发明的这种超级电容充电装置电路简单、成本低、性能可靠，特别适用于X光机内部给超级电容充电。

发明内容

    本发明的目的在于用一种简单可靠的方法为超级电容充电；本发明的又一目的是为了防止超级电容在上电时电路过大损坏设备。

本发明的技术方案是：

该装置由充电控制电路1、超级电容组2、取样电路3三个部分组成。用电感L1和L2限流，将电感L1和L2串联，用可控硅D2控制主回路的导通与关断，可控硅D1用以在超级电容组3的电压升至额定值的2/3时短路电感L2，将主回路电流控制在8A以下。

具体电路是：用取样电路3跟踪超级电容组2电压变化，再送至充电控制电路1。充电控制电路1中有两个比较器U1A和U1B，通过设定R1、R5、R6使得超级电容组电压上升到额定值的2/3时比较器U1A输出由低电平跳转为高电平，使可控硅D1导通短路电感L2，在超级电容组电压上升到额定电压时，比较器U1B输出由高电平跳转为低电平，使可控硅D2截止，停止对超级电容充电。

附图说明

    图1为本装置结构框图。

    图2为本装置充电控制电路原理图。

    图3为本装置取样电路原理图。

具体实施方式

该装置由充电控制电路1、超级电容组2、取样电路3三个部分组成。用电感L1和L2限流，将电感L1和L2串联，用可控硅D2控制主回路的导通与关断，可控硅D1用以在超级电容组3的电压升至额定值的2/3时短路电感L2，将主回路电流控制在8A以下。

具体电路是：用取样电路3跟踪超级电容组2电压变化，再送至充电控制电路1。充电控制电路1中有两个比较器U1A和U1B，通过设定R1、R5、R6使得超级电容组电压上升到额定值的2/3时比较器U1A输出由低电平跳转为高电平，使可控硅D1导通短路电感L2，在超级电容组电压上升到额定电压时，比较器U1B输出由高电平跳转为低电平，使可控硅D2截止，停止对超级电容充电。

光控晶闸管O1、O2和光耦O3是用来将强电电路和弱电电路隔离开来，以免弱电电路受到干扰。

由电容C1、C2和二极管D3、D4组成的被压整流电路可以对额定电压不超过600V的超级电容组进行充电，并可以提高充电速度。