[发明专利]一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能选择性吸收膜系，以铝板作为膜系的基体，其特征在于：所述吸收膜系从顶层至底层依次为：作为减反射层的双层AlN膜，第一层膜厚30~40nm，第二层膜厚40~50nm；作为吸收层的单层Si膜，膜厚70~100nm；作为红外反射层的单层铝膜，膜厚50~60nm；和基体铝板；所述基体铝板上均匀布有圆形凹坑，所述圆形凹坑的直径小于红外光波长。

2.如权利要求1所述的一种太阳能选择性吸收膜系，其特征在于：所述圆形凹坑

的直径为2.0                                               ，所述每cm²的基体铝板上均匀布有10⁵个圆形凹坑。

3.如权利要求1所述的一种太阳能选择性吸收膜系的制备方法，包括在洁净Al基体上制备微坑结构的步骤；在具有微坑结构的基体上制备单层Al膜的步骤；单层Si吸收层制备的步骤；双层AlN膜减反射层制备的步骤，其特征在于：所述的在具有微坑结构的基体上制备单层Al膜的步骤为：利用磁控溅射技术制备铝膜时，所用靶材为Al靶，溅射生长前腔室压强预抽至1.6×10^-4 Pa，腔室在200℃条件下预热处理60 min，以减小腔室中氧原子对Al膜的氧化作用；反应中所用腔室温度为200℃；所用保护气体为Ar气，流量为80 sccm；溅射直至获得所需厚度的Al膜；所述单层Si吸收层制备的步骤为：利用磁控溅射技术制备Si膜时，所用靶材为硅靶，溅射生长前腔室压强预抽至1.6×10^-4 Pa，腔室在250℃条件下预热处理60 min，以减小腔室中氧原子对Si膜的氧化作用；反应中所用腔室温度为250℃；所用保护气体为Ar气，流量为80 sccm；溅射直至获得所需厚度的Si膜；双层AlN膜减反射层制备的步骤为：利用磁控溅射技术制备双层AlN膜减反射层时，所用靶材为Al靶；第一层AlN膜溅射生长前腔室压强预抽至1.6×10^-4 Pa，腔室在200℃条件下预热处理60 min，以减小腔室中氧原子对Si膜的氧化作用；反应时所用腔室温度为200℃；所用反应气体为高纯N₂气，流量为40 sccm；所用保护气体为Ar气，流量为40 sccm；溅射直至获得所需厚度的AlN膜；第二层AlN膜溅射生长前腔室压强预抽至1.6×10^-4 Pa，腔室在250℃条件下预热处理60 min，以减小腔室中氧原子对Si膜的氧化作用；反应时所用腔室温度为250℃；所用反应气体为高纯N₂气，流量为60 sccm；所用保护气体为Ar气，流量为20 sccm；溅射直至获得所需厚度的AlN膜。