[发明专利]焊球上应力减小的晶圆级芯片规模封装件

权利要求书

1.一种结构，包括：

半导体衬底；

金属焊盘，位于所述半导体衬底的上方；

钝化层，位于所述半导体衬底的上方，并包含位于所述金属焊盘上方的部分；

第一聚酰亚胺层，位于所述钝化层上方，其中所述第一聚酰亚胺层具有第一厚度和第一杨氏模量；

钝化后互连件(PPI)，包括位于所述第一聚酰亚胺层上方的第一部分和延伸至所述第一聚酰亚胺层内并且被电连接至所述金属焊盘的第二部分；和

第二聚酰亚胺层，位于所述PPI上方，其中所述第二聚酰亚胺层具有第二厚度和第二杨氏模量，并且其中厚度比和杨氏模量比中的至少一种大于1.0，所述厚度比等于所述第一厚度与所述第二厚度的比值，而所述杨氏模量比等于所述第二杨氏模量与所述第一杨氏模量的比值。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述厚度比大于约1.5；所述第二杨氏模量大于所述第一杨氏模量，二者差值大于约0.5GPa。

3.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一聚酰亚胺层由光刻胶材料形成，所述光刻胶材料包含由硅氧烷基团表示的树脂；所述第二聚酰亚胺层由所述光刻胶材料形成，所述光刻胶材料包含由所述硅氧烷基团表示的所述树脂。

4.一种结构，包括：

半导体衬底；

金属焊盘，位于所述半导体衬底上方；

钝化层，位于所述半导体衬底上方并包含位于所述金属焊盘上方的部分；

第一聚酰亚胺层，位于所述钝化层上方；

钝化后互连件(PPI)，包含位于所述第一聚酰亚胺层上方的第一部分和延伸至所述第一聚酰亚胺层内并且被电连接至所述金属焊盘的第二部分；

第二聚酰亚胺层，位于所述PPI上方，其中所述第一聚酰亚胺层具有第一杨氏模量，所述第一杨氏模量小于所述第二聚酰亚胺层的第二杨氏模量；

底部凸块金属层(UBM)，延伸至所述第二聚酰亚胺层内，并被电连接至所述PPI；和

所述UBM上的凸块。

5.根据权利要求4所述的结构，其中所述第一聚酰亚胺层由光刻胶材料形成，所述光刻胶材料包含由硅氧烷基团表示的树脂；或者所述第一聚酰亚胺层由杨氏模量低于约1.5GPa的材料形成，且所述第二聚酰亚胺层由聚苯并恶唑(PBO)形成。

6.根据权利要求4所述的结构，其中所述第一杨氏模量小于所述第二杨氏模量，二者差值大于约0.5GPa；所述第一聚酰亚胺层具有第一厚度，所述第一厚度大于所述第二聚酰亚胺层的第二厚度，且所述第一厚度与所述第二厚度的比值大于约1.5。

7.一种结构，包含：

半导体衬底；

金属焊盘，位于所述半导体衬底上方；

钝化层，位于所述半导体衬底上方并包含位于所述金属焊盘上方的部分；

第一聚酰亚胺层，位于所述钝化层上方；

钝化后互连件(PPI)，包含位于所述第一聚酰亚胺层上方的第一部分和延伸至所述第一聚酰亚胺层内并且被电连接至所述金属焊盘的第二部分；

第二聚酰亚胺层，位于所述PPI上方，其中所述第一聚酰亚胺层具有第一厚度，所述第一厚度大于所述第二聚酰亚胺层的第二厚度；

底部凸块金属层(UBM)，延伸至所述第二聚酰亚胺层内，并被电连接至所述PPI，和

所述UBM上的凸块。

8.根据权利要求7所述的结构，其中所述第一厚度与所述第二厚度的比值大于约1.5；所述第一聚酰亚胺层具有第一杨氏模量，所述第一杨氏模量小于所述第二聚酰亚胺层的第二杨氏模量，且所述第一杨氏模量和所述第二杨氏模量之间的差值大于约0.5GPa。

9.根据权利要求7所述的结构，其中所述第一聚酰亚胺层由光刻胶材料形成，所述光刻胶材料包含由硅氧烷基团表示的树脂，且所述第二聚酰亚胺层由聚苯并恶唑(PBO)形成。

10.根据权利要求7所述的结构，其中所述第一聚酰亚胺层由杨氏模量低于约1.5GPa的材料形成。