[发明专利]一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法

权利要求书

1.一种YAB晶体生长助熔剂，其特征在于，所述助熔剂为Al₂O₃-硼化物-锂化物-金属氟化物混合体系；

其中，Al₂O₃∶硼化物∶锂化物∶金属氟化物的摩尔比为(5～8)∶(2～4)∶(0.5～2)∶(0.5～1.5)。

2.根据权利要求1所述的助熔剂，其特征在于，所述硼化物为B₂O₃或H₃BO₃；所述锂化物为Li₂O或Li₂CO₃。

3.根据权利要求2所述的助熔剂，其特征在于，所述硼化物为B₂O₃。

4.根据权利要求2所述的助熔剂，其特征在于，所述锂化物为Li₂O。

5.根据权利要求1所述的助熔剂，其特征在于，所述金属氟化物为一价金属氟化物或二价金属氟化物。

6.根据权利要求5所述的助熔剂，其特征在于，所述金属氟化物为MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、NaF、KF中的一种或几种。

7.一种根据权利要求1～6任一所述助熔剂的YAB晶体生长方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)按照Y₂O₃∶助熔剂为1∶1的摩尔比例混合均匀后，升温至1200～1300℃熔融，得到生长物料；

(2)待生长物料完全熔融，降温至950～1050℃，以YAB尝试籽晶找到YAB晶体生长饱和温度；

(3)降温至生长饱和温度，放入YAB籽晶进行生长，生长同时以20～40rpm的速率旋转晶体并以0.1～2.0℃/day降温；

(4)待晶体生长至所需尺度后脱离生长物料，以20～80℃/h速率降至室温，得YAB晶体。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，以铂坩埚为容器承装熔融体。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，放入的籽晶方向为任意方向。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中晶体旋转为单向旋转或双向旋转。