[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，为带载型半导体装置，在该半导体装置中，半导体元件(108)以与在带状基材(102)的顶面所形成的配线图形(104)进行电连接的状态，被封装在所述带状基材(102)的顶面上，该半导体装置的特征在于：

具有

顶面侧绝缘保护膜(106)，覆盖所述带状基材(102)的顶面；以及

底面侧绝缘保护膜(112)，覆盖所述带状基材(102)的底面；

在所述顶面侧绝缘保护膜(106)中，设置有顶面侧开口部(106a)，该顶面侧开口部(106a)在所述带状基材(102)的顶面上，且在与所述半导体元件(108)对向的对向区域的至少一部分区域开口；

在所述顶面侧绝缘保护膜(106)中，还设置有突出开口部(106b)，该突出开口部(106b)向与所述半导体元件(108)对向的所述对向区域的外侧突出；

在所述底面侧绝缘保护膜(112)中，设置有底面侧开口部(112a)，该底面侧开口部(112a)在位于所述顶面侧开口部(106a)背面侧的部分开口；

所述底面侧开口部(112a)的开口尺寸为，位于所述带状基材(102)顶面上的所述对向区域的尺寸的1.00倍～8.50倍；

所述半导体元件(108)与所述对向区域之间填充有填充剂(110)。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件(108)和所述顶面侧开口部(106a)分别呈矩形；

所述顶面侧开口部(106a)所形成的矩形的各边长，分别小于所述半导体元件(108)所形成的矩形的相应各边长加上0.50mm后的长度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述突出开口部(106b)从与所述半导体元件(108)对向的所述对向区域的端部向外侧突出0.4mm～1.0mm。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述带状基材(102)的顶面上，且在所述顶面侧开口部(106a)内，形成有所述配线图形(104)的延长部(104a)，该延长部(104a)自所述配线图形(104)与所述半导体元件(108)相连接的部分起，向所述顶面侧开口部(106a)的中心部延伸；

所述延长部(104a)的宽度为0.05mm～0.20mm。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述顶面侧开口部(106a)的周边部分上形成有厚度为5μm～30μm的薄膜，其中，所述周边部分是指，在所述顶面侧绝缘保护膜(106)的顶面，自所述顶面侧开口部(106a)的端部起向外侧延伸2mm～3mm的部分。

6.一种半导体装置的制造方法，为带载型半导体装置的制造方法，在该半导体装置中，半导体元件(108)以与在带状基材(102)的顶面所形成的配线图形(104)进行电连接的状态，被封装在所述带状基材(102)的顶面上，该半导体装置的制造方法的特征在于：

包含

形成顶面侧绝缘保护膜的工序，形成顶面侧绝缘保护膜(106)，该顶面侧绝缘保护膜(106)覆盖所述带状基材(102)的顶面；以及

形成底面侧绝缘保护膜的工序，形成底面侧绝缘保护膜(112)，该底面侧绝缘保护膜(112)覆盖所述带状基材(102)的底面；

在经所述形成顶面侧绝缘保护膜的工序而形成的所述顶面侧绝缘保护膜(106)中，设置有顶面侧开口部(106a)和突出开口部(106b)，该顶面侧开口部(106a)在所述带状基材(102)的顶面上，且在与所述半导体元件(108)对向的对向区域的至少一部分区域开口，该突出开口部(106b)向与所述半导体元件(108)对向的所述对向区域的外侧突出；

在经所述形成底面侧绝缘保护膜的工序而形成的所述底面侧绝缘保护膜(112)中，设置有底面侧开口部(112a)，该底面侧开口部(112a)在位于所述顶面侧开口部(106a)背面侧的部分开口，且该底面侧开口部(112a)的开口尺寸为，位于所述带状基材(102)顶面上的所述对向区域的尺寸的1.00倍～8.50倍；

所述半导体装置的制造方法还包括填充填充剂的工序，将填充剂(110)自所述突出开口部(106b)，填充入位于所述带状基材(102)的顶面上的与所述半导体元件(108)对向的区域。