[发明专利]一种橡胶树林段树根离体诱导新生无菌根的方法无效

专利信息
申请号: 201210046847.4 申请日: 2012-02-24
公开(公告)号: CN102577961A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 周权男;华玉伟;黄华孙;黄天带;孙爱花;李哲;戴雪梅;蔡海滨 申请(专利权)人: 中国热带农业科学院橡胶研究所
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 黄慧德
地址: 57173*** 国省代码: 海南;66
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摘要:
搜索关键词: 一种 橡胶 树林 树根 诱导 新生 菌根 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种植物组织培养方法,具体地说,涉及一种以橡胶树树根作为外植体,通过组织培养诱导无菌根的方法。

背景技术

橡胶树是多年生的异花授粉乔木,在热带地区广泛种植,其主要产品是天然橡胶。天然橡胶是重要工业原料和战略资源,由于我国热带地区土地资源有限,选育和推广高产橡胶树、抗病橡胶树是提高单位面积产量、确保我国天然橡胶总产量逐步提高的关键。

目前生产种植的橡胶树主要是芽接树,是用优良橡胶树品系的芽,接于作为砧木的橡胶树实生苗上,培育成橡胶树芽接苗,芽接苗栽培后即为芽接树。橡胶芽接树减少了橡胶林株间产量的差异,大幅度提高了产量。但是,橡胶树砧木与接穗间存在相互作用,砧木对接穗的影响表现在生长、产量、生理生化特性及组织结构上,从同一母本植株取芽条进行嫁接的芽接树,其接穗的遗传性状是相同的;而作为砧木的实生苗,由种子萌发而来,在有性生殖过程中发生了基因分离,因而实生苗砧木的遗传背景差别很大。芽接树成龄后,普通高产橡胶树之间产量差别小,但超高产橡胶树和普通高产橡胶树之间产量差别则很大,相差几倍到十几倍,这与砧木的遗传性状有关。如近年来发现一些具有优良性状的砧木,对芽接树的产量、抗寒性、速生、抗病性等性状有重要影响。一般在我国大规模种植的高产橡胶树品种如热研7-33-97,单株年产干胶6~7公斤。而目前在云南发现有些品种有超高产的橡胶树,单株年产干胶127公斤,在西双版纳傣族自治州景洪市也有单株年产干胶98公斤的橡胶树。由于确定橡胶树砧木具有优良品性要等到开割以后,从种植到开割需要7~8年的时间,此时在砧木上难以找到芽点或芽眼,优良砧木难以通过常规育种方法扩大繁殖。

利用木本植物的根进行离体培养研究,成功诱导出再生植株也有报道,如1990年Son等用银白杨试管苗的根系切取外植体,经组织培养得到了再生植株;1991年法国的Pedrotti等进行了樱桃的根系离体培养,通过间接愈伤组织诱导和直接芽诱导,成功地培养出植株;1992年Bhat等切取酸柠檬的根在MS培养基中进行组织培养,有低频的植株再生;1996年Sankhla等把合欢种子在无菌条件下诱导萌发,取15~20天龄的幼苗的根作为外植体,经组织培养得到再生植株。

橡胶树是木本植物,利用组织培养技术可快速繁育橡胶树后代,解决橡胶树育种中研究优良性状的砧木的材料问题,能很大地提高橡胶树的经济效益。在科研和生产过程中,迫切需要利用橡胶树优良性状的砧木进行扩大繁殖。申请专利号为200810226001“一种橡胶树试管苗无菌根体细胞胚发生植株再生方法”介绍了选择橡胶树试管苗无菌幼根,在胚性愈伤组织诱导培养基暗培养25~40天,再转入继代培养基暗培养15~30天,然后转移到体细胞胚诱导培养基暗培养20~50天,最后转移到出苗培养基,光照培养20~50天,长成完整植株。该发明是利用橡胶树试管苗无菌根作为培养材料,经体细胞胚发生途径诱导再生植株,建立优良砧木离体培养无性繁殖体系,其技术水平达到国际首创。但是,该发明所用的培养材料是橡胶树试管苗无菌根,无菌根的获取必须先培养橡胶树试管苗。橡胶树试管苗是利用橡胶树花药组织培养诱导植株再生,组织培养须经过初代培养、继代培养和出苗培养。初代培养主要是获取花药和在培养皿内诱导愈伤组织;继代培养主要是将愈伤组织在培养皿内培养成成熟胚状体;出苗培养主要是将胚状体在试管中诱导形成再生植株,即为试管苗。可见,利用橡胶树试管苗无菌根作为培养材料,获取试管苗无菌根难度大,时间长,需花费大量人力和费用,且通过仅能以花器官为外植体来源的橡胶组织培养的取材也较困难。

发明目的

为解决橡胶树试管苗无菌根作为培养材料,获取试管苗无菌根难度大的问题,本发明的目的是利用优良品种橡胶树林段树根为外植体,经组织培养途径,建立橡胶树树根诱导体系,提供大量无菌新根。

发明内容

为了实现本发明目的,本发明所述的一种橡胶树林段树根离体诱导新生无菌根的方法,包括如下步骤:

1)根的选择:选取橡胶树林段的幼嫩树根作为外植体材料,幼嫩树根的直径为1.2~1.5mm;

2)根的处理:将作为外植体材料的幼嫩树根切成长度为8~10mm的根段;

3)无菌根的诱导:将根段外植体,接种于无菌根诱导培养基暗培养,培养温度在24℃~30℃之间,暗培养25~40天,外植体在无菌根诱导培养基中膨大、部分愈伤化、直接诱导出新根。

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