[发明专利]布线、薄膜晶体管、薄膜晶体管面板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

栅电极；

栅极绝缘层，位于栅电极上；

半导体，位于栅极绝缘层上；

漏电极和源电极，位于半导体上并且彼此分隔开，

漏电极和源电极中的每个包括第一金属扩散防止层和位于第一金属扩散防止层上的第二金属扩散防止层，第一金属扩散防止层位于栅极绝缘层上，其中，第一金属扩散防止层防止金属原子的扩散，

其中，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的至少一个包括沿基本垂直于半导体的方向的柱状结构的晶粒，

第一金属扩散防止层的第一晶界和第二金属扩散防止层的第二晶界在沿垂直于半导体的方向上基本是不连续的。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层包括相同的金属材料。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，金属材料为钛。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极中的每个还包括包含铜的主电极层，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层位于半导体和主电极层之间。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，金属材料为钛。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的每个包括柱状结构的晶粒。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的每个为至厚。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，第一金属扩散防止层与半导体直接接触。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括位于半导体上的线性欧姆接触材料，其中，第一金属扩散防止层与线性欧姆接触材料直接接触。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的任一个金属扩散防止层具有非晶结构。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，非晶结构包括氮化钛或氧化钛。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的任一个金属扩散防止层包含钛。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，第一金属扩散防止层包含钛。

14.如权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，第二金属扩散防止层包含钛。

15.一种薄膜晶体管面板，所述薄膜晶体管面板包括：

栅电极，连接到位于绝缘基底上的栅极布线；

栅极绝缘层，位于栅电极上；

半导体，位于栅极绝缘层上；

漏电极和源电极，位于半导体上并且彼此分隔开；以及

像素电极，连接到漏电极和源电极，

其中，漏电极和源电极中的每个包括第一金属扩散防止层、第二金属扩散防止层和位于第二金属扩散防止层上的源极-漏极层，

其中，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的至少一个包括沿基本垂直于半导体的方向的柱状结构的晶粒，

第一金属扩散防止层的第一晶界和第二金属扩散防止层的第二晶界在沿垂直于半导体的方向上基本是不连续的。

16.如权利要求15所述的薄膜晶体管，其中，第一金属扩散防止层位于半导体和第二金属扩散防止层之间。

17.如权利要求16所述的薄膜晶体管，其中，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层包含钛，源极-漏极层包含铜。

18.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的每个包括柱状结构的晶粒。

19.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其中，第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的任一个金属扩散防止层具有非晶结构。

20.如权利要求19所述的薄膜晶体管，其中，非晶结构包括氮化钛或氧化钛。