[发明专利]一种高速海量存储板有效
申请号: | 201210046375.2 | 申请日: | 2012-02-24 |
公开(公告)号: | CN102622191A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 江培华;赖永青;靳继旺 | 申请(专利权)人: | 北京经纬恒润科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F13/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 100101 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高速 海量 存储 | ||
技术领域
本发明涉及数字信号处理领域,尤其涉及一种高速海量存储板。
背景技术
随着数据存储技术的发展,对存储板高速,大容量的需求越来越急迫。目前市场上存在基于NAND Flash芯片的存储板,但由于其拓扑结构、传输方式及控制芯片等技术制约了单板容量和存储带宽,因此研制一种高速海量的存储板,以满足对存储板高速,大容量的需求成为本领域技术人员亟需完成的任务。
发明内容
有鉴于此,本发明目的在于提供一种高速海量存储板,以满足对存储板高速,大容量的需求。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种高速海量存储板,包括存储板单板,所述存储板单板上设置有:
现场可编程门阵列FPGA主控节点、FPGA传输节点、FPGA控制节点以及NAND Flash芯片阵列组;
其中:
所述FPGA主控节点、所述FPGA传输节点以及所述FPGA控制节点之间均通过SERDES高速互连总线相连;
所述FPGA控制节点的数量为多个,每一个所述FPGA控制节点连接多组所述NAND Flash芯片阵列组;
每组所述NAND Flash芯片阵列组包含多片NAND Flash芯片;
所述FPGA主控节点通过外部周边元件扩展PCI接口与外部PCI设备连接。
优选的,在上述存储板中,所述FPGA主控节点的数量为1个,所述FPGA传输节点的数量为1个,所述FPGA控制节点的数量为2个,其中:
每1个所述FPGA控制节点与8组所述NAND Flash芯片阵列组相连;
每组所述NAND Flash芯片阵列组包含8片NAND Flash芯片。
优选的,在上述存储板中,所述FPGA主控节点与每个所述FPGA控制节点通过1路SERDES高速互连总线相连;
所述FPGA传输节点与每个所述FPGA控制节点通过5路SERDES高速互连总线相连;
所述FPGA主控节点至少通过2路SERDES高速互连总线与所述FPGA传输节点相连。
优选的,在上述存储板中,每组所述NAND Flash芯片阵列组中的多片NAND Flash芯片共享控制总线和按位扩展数据总线。
优选的,在上述存储板中,所述FPGA传输节点挂载有基于四倍数据率内存技术的静态存取存储器QDR-SRAM以及基于第三代双倍速率内存技术的同步动态随机存取存储器DDR 3SDRAM。
优选的,在上述存储板中,所述FPGA主控节点采用可擦除可编程只读存储器EPROM配置方式。
优选的,在上述存储板中,所述FPGA传输节点与每个所述FPGA控制节点通过5路SERDES高速互连总线相连,其中:
连接所述FPGA传输节点与每个所述FPGA控制节点的所述5路SERDES高速互连总线中的4路SERDES高速互连总线用于传输所述外部PCI设备与所述NAND Flash芯片之间待传输的数据,另外1路SERDES高速互连总线用于传输NAND Flash芯片的命令字以及状态信息。
优选的,在上述存储板中,连接所述FPGA主控节点与所述FPGA传输节点的所述2路SERDES高速互连总线中的1路SERDES高速互连总线用于传输所述PCI与所述NAND Flash芯片之间待传输的数据,另外1路SERDES高速互连总线用于传输2个所述FPGA控制节点命令字以及状态信息。
优选的,在上述存储板中,每个所述FPGA控制节点均挂载有串行外设接口SPI Flash。
优选的,在上述存储板中,所述FPGA主控节点还通过COM BUS总线与所述FPGA传输节点相连。
本发明各FPGA节点之间通过SERDES高速互连总线进行通信,SERDES技术有以下优点:其线速范围为1Gbps~12Gbps,有效负载范围为0.8~10Gb,适用于高速,大容量数据的传输系统。本发明通过PCI接口以及各FPGA节点之间的SERDES高速互连总线实现大带宽数据的传输。
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