[发明专利]可挠式器件的取下方法有效
| 申请号: | 201210046189.9 | 申请日: | 2012-02-23 |
| 公开(公告)号: | CN103177998A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
| 发明(设计)人: | 蔡宝鸣;江良祐;陈光荣 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 可挠式 器件 取下 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种可挠式器件的取下(debonding)方法,特别是涉及一种设置于离型层上的可挠式器件的取下方法。
背景技术
目前玻璃显示器易碎、不耐冲击及高重量与厚度的缺点无法满足于轻量化、薄型化及可挠曲使用等需求的个人数字随身产品,以可挠式基板取代玻璃作为显示器基板不但可以解决上述问题,更可提供平面显示器在外型与卷曲性的设计自由度,因此可挠式显示器的研发已成为业界发展重点之一。
目前可挠式显示器的制造方法包括以下步骤:在承载基板上制作离型层,其后涂布可挠性基板,于可挠性基板上进行器件工艺(如薄膜晶体管阵列工艺)等,然后再取下即完成可挠式显示器的制作流程。目前已知的技术是采用吸附工艺取下可挠性面板,然而其会因应力问题导致可挠性面板的卷曲,另外,可挠性面板的平整性不佳也会影响吸附的取下效果,可挠性基板的厚度薄化还会造成其不易夹取固定。因此,业界需要一种新的可挠式器件取下方法。
发明内容
根据上述,本发明的实施例提供一种可挠式器件的取下方法,包括下列步骤:提供承载基板,包括第一表面和第二表面,承载基板于第一表面上覆盖离型层,且可挠式基板设置于离型层和承载基板上,电子器件设置于可挠式基板上以形成可挠式器件;沿着第一切割线,从承载基板的第二表面进行第一切割步骤,其中第一切割线位于离型层的第一侧外缘和电子器件的第一侧外缘之间的区域;利用固定装置固定承载基板和承载基板上的可挠式基板;利用吸附装置吸附可挠式基板或可挠式基板上的电子器件;对固定装置施以由承载基板的第二表面朝向第一表面的力,使承载基板裂片;以及对固定装置施以由承载基板的第一侧边朝向第二侧边的顺时针或逆时针的力,并通过吸附装置辅助控制可挠式基板移动的方向,将可挠式器件从承载基板取下。
所述可挠式器件的取下方法,进一步包括:从所述承载基板的第一表面的上方,沿着在所述离型层的第二侧边缘与所述电子器件的第二侧边缘之间的区域中的第二切割线,对所述可挠式基板进行第二切割步骤;从所述承载基板的第一表面的上方,沿着在所述离型层的第三侧边缘与所述电子器件的第三侧边缘之间的区域中的第三切割线,对所述可挠式基板进行第三切割步骤;以及从所述承载基板的第一表面的上方,沿着在所述离型层的第四侧边缘与所述电子器件的第四侧边缘之间的区域中的第四切割线,对所述可挠式基板进行第四切割步骤。
所述第一切割步骤可不将所述承载基板完全切穿,只形成缺口。
在将所述可挠式基板与所述承载基板分离的过程中,是通过所述吸附装置控制所述可挠式基板与所述承载基板之间的角度θ不大于90°。
所述吸附装置为外型具有弧形的装置。
所述可挠式基板与所述离型层的黏着性小于所述可挠式基板与所述承载基板的黏着性。
所述离型层包括聚对二甲基苯系列材料。
所述吸附装置包括真空吸附、静电吸附、黏贴吸附或夹取装置。
所述电子器件包括薄膜晶体管器件、柔性有机发光二极管、柔性太阳能电池或柔性传感器。
所述可挠式基板可为阻气层或触控面板。
为让本发明的特征能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图,作详细说明如下:
附图说明
图1A至图1D显示本发明一实施例的可挠式装置的工艺的剖面图。
图2A至图2E显示本发明一实施例的可挠式基板的取下工艺的剖面图。
图3显示本发明一实施例的可挠式装置的平面图。
其中,附图标记:
102~承载基板; 104~离型层;
106~可挠式基板; 108~电子器件;
202~第一表面; 204~第二表面;
205~第一切割线; 208~第一区域;
210~第二区域; 212~第一侧;
214~第二侧; 215~缺口;
216~第三侧; 218~第四侧;
220~固定装置; 222~吸附装置;
251~第二切割线; 253~第三切割线;
255~第四切割线。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





