[发明专利]稀土离子掺杂稀土氟氧化物的晶体硅太阳能电池结构

权利要求书

1.一种稀土离子掺杂稀土氟氧化物的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，包括：依次自下而上相互叠加的背电极(1)、银铝浆薄膜(2)、P型晶体硅层(3)、N型晶体硅层(4)、减反射膜(5)、稀土离子掺杂稀土氟氧化物膜(6)、正电极(7)；

所述背电极为条形铝电极；

所述稀土离子掺杂稀土氟氧化物膜中稀土氟氧化物为稀土氧化物与稀土氟化物在800～900℃反应制得；

其中，所述稀土离子为Nd³⁺、Yb³⁺、Pr³⁺、Ho³⁺、Er³⁺中的一种或几种，所述的稀土氧化物为Nd₂O₃、Yb₂O₃、Pr₂O₃、Ho₂O₃、Er₂O₃中的一种或几种；

所述稀土氟化物为LaF₃、YF₃、LiYF₄、NaYF₄、K₂YF₅、BaYF₅或BaY₂F；

所述正电极为银栅电极。

2.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，所述背电极的厚度为10-20μm、宽度为2-3mm。

3.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，所述银铝浆薄膜厚度为15-20μm。

4.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，所述P型晶体硅层为掺杂硼的单晶硅或多晶硅。

5.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，所述N型晶体硅层为掺杂磷的单晶硅或多晶硅。

6.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，所述减反射膜为氮化硅或氧化硅，所述减反射膜的膜厚为70nm。

7.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，所述稀土离子掺杂稀土氟氧化物膜的激发光波长大于1100nm，发射光波长在可见光范围内。

8.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，所述正电极的主线厚度为10-20μm、宽度为2-3mm，栅线厚度为10-20μm、宽度为50μm。