[发明专利]发光二极管装置

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包含：

至少一个发光二极管单元，该发光二极管单元包含：

一第一发光二极管，其包含n侧氮化物半导体层、第一主动层与p侧氮化物半导体层；

一第二发光二极管，其包含n侧氮化物半导体层、第二主动层与p侧氮化物半导体层；及

一超晶格结构，由至少一个第一子层与至少一个第二子层交替堆栈组成，位于所述第一发光二极管的p侧氮化物半导体层与所述第二发光二极管的n侧氮化物半导体层之间，作为隧道结，藉以将所述第一发光二极管与所述第二发光二极管迭加在一起；

其中，所述超晶格结构具有一吸收光谱，所述第一主动层具有一第一发射光谱，所述第二主动层具有一第二发射光谱，所述吸收光谱位于所述第一发射光谱与所述第二发射光谱两者之中至少一者的相对短波长侧。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述吸收光谱与所述第一发射光谱两者不重迭。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置，当所述吸收光谱与所述第一发射光谱两者重迭部分小于或等于40％时，所述超晶格结构中含铟成分的子层总厚度小于或等于10纳米。

4.如权利要求1所述的发光二极管装置，当所述吸收光谱与所述第一发射光谱两者重迭部分大于40％时，所述超晶格结构中含铟成分的子层总厚度小于或等于5纳米。

5.如权利要求1所述的发光二极管装置，所述超晶格结构的所述吸收光谱具有定义为λ_TL的一吸收边缘，所述第一主动层的所述第一发射光谱具有一定义为λ_first QW的与发射强度最高值对应的波长，其中λ_firstQW＞λ_TL。

6.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述吸收光谱与所述第二发射光谱两者不重迭。

7.如权利要求1所述的发光二极管装置，当所述吸收光谱与所述第二发射光谱两者重迭部分小于或等于40％时，所述超晶格结构中含铟成分的子层总厚度小于或等于10纳米。

8.如权利要求1所述的发光二极管装置，当所述吸收光谱与所述第二发射光谱两者重迭部分大于40％时，所述超晶格结构中含铟成分的子层总厚度小于或等于5纳米。

9.如权利要求1所述的发光二极管装置，所述超晶格结构的所述吸收光谱具有定义为λ_TL的一吸收边缘，所述第二主动层的所述第二发射光谱具有一定义为λ_second QW的与发射强度最高值对应的波长，其中λ_secondQW＞λ_TL。

10.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述第一子层与所述第二子层的组合方式包含下列族群中的一者：AlGaN/InGaN，AlGaN/GaN，GaN/InGaN。

11.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述第二子层包含氮化铟镓(InGaN)，且铟浓度小于或等于20％。

12.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述第一子层包含氮化铝镓(AlGaN)，且铝浓度为20％～44％。

13.如权利要求1所述的发光二极管装置，还包含：

一第一电极，所述n侧氮化物半导体层包含n型氮化镓层，该第一电极电性连接所述n型氮化镓层；及

一第二电极，所述p侧氮化物半导体层包含p型氮化镓层，该第二电极电性连接所述p型氮化镓层。

14.如权利要求13所述的发光二极管装置，其中所述至少一个发光二极管单元包含多个所述发光二极管单元，以数组型式排列，其中，相邻的所述发光二极管单元的第一电极及第二电极电性连结，因而形成一串联序列和/或并联序列。