[发明专利]单边存取装置及其制造方法

权利要求书

1.一种单边存取装置，其特征在于，包含：

一主动鳍式结构，具有一源极区域以及一栅极区域；

一绝缘层，介于所述源极区域以及所述漏极区域之间；

一沟渠绝缘结构，设置于所述主动鳍式结构的一侧；

一单边侧壁栅电极，设置于所述主动鳍式结构相对于所述沟渠绝缘结构的另一侧，使所述主动鳍式结构夹置于所述沟渠绝缘结构以及所述单边侧壁栅电极之间；以及

一栅极突出部，自所述单边侧壁栅电极横向且电性延伸并嵌入于所述源极区域以及所述漏极区域之间的所述绝缘层下方。

2.如权利要求1所述的单边存取装置，其特征在于，所述栅极突出部与所述单边侧壁栅电极为一体成型。

3.如权利要求1所述的单边存取装置，其特征在于，更包含一U形沟道位于所述源极区域以及所述漏极区域之间。

4.如权利要求1所述的单边存取装置，其特征在于，更包含一第一栅极介电层位于所述单边侧壁栅电极以及所述主动鳍式结构之间。

5.如权利要求1所述的单边存取装置，其特征在于，更包含一第二栅极介电层位于所述栅极突出部以及所述主动鳍式结构之间。

6.如权利要求1所述的单边存取装置，其特征在于，所述绝缘层包含等离子体增强化学气相沉积氧化层。

7.如权利要求1所述的单边存取装置，其特征在于，所述单边侧壁栅电极沿着一第一方向延伸。

8.如权利要求7所述的单边存取装置，其特征在于，所述沟渠绝缘结构为一线形绝缘结构并沿着所述第一方向延伸。

9.如权利要求7所述的单边存取装置，其特征在于，所述栅极突出部沿着一第二方向延伸，而所述第二方向不平行于所述第一方向。

10.如权利要求9所述的单边存取装置，其特征在于，所述第一方向垂直于所述第二方向。

11.一种动态随机存取存储器阵列，其特征在于，包含：

一单边存取装置阵列，其中各所述单边存取装置包含：

一主动鳍式结构，具有一源极区域以及一漏极区域；

一绝缘层，介于所述源极区域以及所述漏极区域之间；

一沟渠绝缘结构，设置于所述主动鳍式结构的一侧；

一单边侧壁栅电极，设置于所述主动鳍式结构相对于所述沟渠绝缘结构的另一侧，因而所述主动鳍式结构夹置于沟渠绝缘结构以及所述单边侧壁栅电极之间；以及

一栅极突出部，自所述单边侧壁栅电极横向且电性延伸并且嵌入位于所述源极区域以及所述漏极区域之间的所述绝缘层下方。

12.如权利要求11所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述栅极突出部与所述单边侧壁栅电极为一体成型。

13.如权利要求11所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，更包含一U形沟道位于所述源极区域以及所述漏极区域之间。

14.如权利要求11所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，更包含一第一栅极介电层位于所述单边侧壁栅电极以及所述主动鳍式结构之间。

15.如权利要求11所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，更包含一第二栅极介电层位于所述栅极突出部以及所述主动鳍式结构之间。

16.如权利要求11所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述绝缘层包含等离子体增强化学气相沉积氧化层。

17.如权利要求11所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述单边侧壁栅电极沿着一第一方向延伸。

18.如权利要求17所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述沟渠绝缘结构为一线形绝缘结构并沿着所述第一方向延伸。

19.如权利要求17所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述栅极突出部沿着一第二方向延伸，而所述第二方向大致垂直于所述第一方向。

20.如权利要求11所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，更包含两个镜像对称的单栅极鳍式场效应晶体管，排列于所述动态随机存取存储器阵列的两相邻行及同一列中。