[发明专利]放射线图像检测装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210044976.X 申请日: 2012-02-24
公开(公告)号: CN102650699A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 岩切直人;中津川晴康 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: G01T1/202 分类号: G01T1/202;G01N23/223;A61B6/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈海涛;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 放射线 图像 检测 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种放射线图像检测装置及其制造方法。

背景技术

近年来,在实践中使用采用FPD(平板探测器)以检测放射线图像并产生数字图像数据的放射线图像检测装置,并因为与常规成像板的情况相比能够即时检查图像而迅速普及。提出了各种类型的这种放射线图像检测装置。其实例为间接转换型。

间接转换型放射线图像检测装置具有:由用于响应放射线曝光而发射荧光的荧光材料如CsI构造的闪烁体;和以在基底上二维布置多个光电转换元件的方式构造的传感器面板。通过闪烁体将透过摄影物体(image-taking object)的放射性转换成光。然后,在传感器面板中通过光电转换元件将源自闪烁体的荧光转换成电信号。所述传感器面板具有电连接至光电转换元件的连接部。上述电信号通过连接至该连接部的布线构件而输出到外部。

另外,还提出了所谓的正面读取(ISS:照射侧采集)型放射线图像检测装置,其通过改进间接转换型的放射线图像检测装置,使得放射线从传感器面板侧入射而获得(例如,参见专利文献1(日本特开平7-27864号公报))。根据这种放射线图像检测装置,在传感器面板附近发射的闪烁体的荧光强度增加并因此提高了灵敏度。这减少了用于检测放射线图像所必要的曝光量,并因此减少了摄影物体的曝光量。

另外,还提出一种技术,所述技术以柱状晶体群的形式来构造闪烁体,所述柱状晶体通过气相沉积等使荧光材料如CsI晶体生长成柱形而获得(例如,参见专利文献2(日本特开2011-017683号公报))。通过气相沉积形成的柱状晶体不包含杂质如粘合剂,并另外提供沿晶体生长方向引导发射的荧光的光导效应并因此抑制荧光的扩散。这提高了放射线图像检测装置的灵敏度并提高了图像的锐度。

在此,在ISS型放射线图像检测装置中,放射线透过传感器面板的基底并然后入射到闪烁体中。所述传感器面板的基底通常由玻璃构成。然而,玻璃以很多量吸收放射线。这引起入射到闪烁体中的放射线衰减的担忧。因此,在专利文献1中所述的放射线图像检测装置中,所述传感器面板的基底由放射线吸收能力比玻璃低的树脂片构成。或者,即使当使用玻璃时,也采用薄至几个100μm等的玻璃片。

发明内容

在ISS型放射线图像检测装置中,当除去传感器面板的基底时,进一步抑制了入射到闪烁体中的放射线的衰减。然而,在剥离基底时,负载作用于传感器面板的连接部和布线构件之间的连接部分上。这引起连接部从布线构件中剥离的担忧。另外,当剥离基底时,损失了由基底获得的防湿效果。这引起了连接部中的腐蚀的担忧。

考虑到上述情况而设计了本发明。本发明的目的是提供一种具有令人满意的敏感度和令人满意的耐久性的放射线图像检测装置。

根据本发明的一个方面,放射线图像检测装置包含:荧光体,其包含响应放射线照射而发射荧光的荧光材料;和薄膜型传感器部,其与所述荧光体的放射线入射侧邻接设置并由所述荧光体支持,并且其中以二维布置用于检测由所述荧光体发射的荧光的多个光电转换元件,其中所述传感器部包含:设置在与所述荧光体相对的正面上并电连接至所述光电换转元件的连接部;和连接至所述连接部的布线构件,并且所述放射线图像检测装置1还包含:第一保护膜,其至少覆盖除所述传感器部的背面之外的连接至所述布线构件的所述连接部;和防湿性第二保护膜,其至少覆盖所述传感器部的所述背面上的与所述连接部对应的部分。

在所述构造的情况下,在薄膜型传感器部中,剥离支持传感器部的基底并因此由荧光体支持传感器部。这避免了通过基底吸收放射线,并因此避免了入射到闪烁体中的放射线的衰减。因此,提高了放射线图像检测装置的敏感度。另外,因为用第一保护膜覆盖连接至布线构件的连接部,所以即使当基底剥离造成对连接部和布线构件之间的连接部分的负载时,也避免了两者的剥离。另外,在剥离基底时暴露的传感器部的背面中,通过第二保护膜覆盖与连接部对应的部分。这抑制了由湿气引起的连接部中的腐蚀,并因此提高了耐久性。

附图说明

图1是示意性示出用于描述本发明实施方式的放射线图像检测装置的实例的构造的图。

图2是示意性示出图1中所示的放射线图像检测装置的检测部的构造的图。

图3是示意性示出图2中所示的检测部的荧光体的构造的图。

图4是示出沿IV-IV线获得的图3中所示的荧光体的横截面的图。

图5是示出沿V-V线获得的图3中所示的荧光体的横截面的图。

图6是示意性示出图2中所示的检测部的传感器部的构造的图。

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