[发明专利]在半导体器件和封装组件中的凸块结构有效
| 申请号： | 201210044730.2 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102903690A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 庄其达;庄曜群;林宗澍;郭正铮;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 组件 中的 结构 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底，包括第一导电焊盘和第二导电焊盘；
第一凸块结构，覆盖并且电连接至所述第一导电焊盘；以及
第二凸块结构，覆盖并且电连接至所述第二导电焊盘，存在从所述第一凸块结构的中心至所述第二凸块结构的中心的凸块间距，
其中，所述第一导电焊盘具有第一宽度，所述第一凸块结构具有第二宽度的第一凸块下金属化UBM层，所述第二宽度大于所述第一宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二宽度和所述凸块间距之间的比率在约0.65和约0.8之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一宽度和所述凸块间距之间的比率在约0.5和0.6之间。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：钝化层，位于所述第一导电焊盘和所述第一UBM层之间，所述钝化层具有露出所述第一导电焊盘的一部分的第一开口。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一开口的宽度和所述凸块间距之间的比率在约0.3和0.4之间。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：保护层，位于所述钝化层和所述UBM层之间，所述保护层覆盖所述钝化层并且具有露出所述第一导电焊盘的一部分的第二开口。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，在所述第二开口的宽度和所述第一开口的宽度之间的比率在约0.7和0.9之间。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一凸块结构包括：位于所述第一UBM层上方的铜柱。
9.一种封装组件，包括：
半导体器件，包括：导电焊盘、位于所述导电焊盘上方的凸块下金属化UBM层、以及位于所述UBM层上方的导体柱；
衬底，包括：导电区域、覆盖所述衬底并且露出所述导电区域的一部分的掩模层；以及
焊点结构，位于所述半导体器件的所述导体柱和所述衬底的所述导电区域之间，
其中，所述导电焊盘具有第一宽度，并且所述UBM层具有大于所述第一宽度的第二宽度。
10.一种半导体器件，包括：
半导体衬底，包括导电焊盘，所述导电焊盘具有第一宽度；
保护层，覆盖所述半导体衬底并且露出所述导电焊盘的一部分；
凸块下金属化UBM层，覆盖所述保护层并且电连接至所述导电焊盘，所述UBM层具有大于所述第一宽度的第二宽度；以及
导体柱，覆盖所述UBM层。
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