[发明专利]铟清洁冶炼方法

权利要求书

1.铟清洁冶炼方法，包括如下步骤：

S1将含铟原料和多级浸出工序的浸出渣，经过富集工序用挥发的方法得到烟灰和无污染渣；

S2将富铟原料和步骤S1中得到的烟灰，经过多级浸出工序用酸或盐溶液进行浸取，得到上层清液和底流固体浸出渣及铜、铋、镉等有色金属渣；

S3取步骤S2中得到的上层清液，经过电积工序用电子还原得到海绵铟和贫铟液；

S4取步骤S3中得到的海绵铟，经过电解铸定工序用氧化还原的方法，将原子铟转化为离子铟，铟离子再转化为原子铟，得到铟锭和电解渣。

2.根据权利要求1所述的铟清洁冶炼方法，其特征在于，在步骤S1中，当前处理得到的烟灰作为新的富铟原料进入多级浸出工序，无污染渣用于建材原料，作为商品销售。

3.根据权利要求1所述的上述铟清洁冶炼方法中，其特征在于，所述富集工序的工艺条件为：富集温度：1～1800℃；富集压力：0.1～2兆帕；富集气体氧浓度：6～99％；富集原料碳含量：15～60％；富集时间：1～5000分钟；富集级数：1～100级；富集工序产品建材原料，含铟量：小于0.05％。

4.根据权利要求1所述的上述铟清洁冶炼方法中，其特征在于，在步骤S2中，当前得到的富铟原料经过多级浸出工序，获得铟浓度不小于每升1克的上层清液进入电积工序，上层清液中铟的浓度小于每升1克时，返回多级浸出工序，同时得到浸出渣。浸出渣返回富集工序，铜、铋、镉等有色金属渣用于回收有色金属，作为商品销售。

5.根据权利要求1所述的上述铟清洁冶炼方法中，其特征在于，所述浸出工序的工艺条件为：粉碎时间：1～10000分钟；粉碎温度：-20～120℃；粉碎强度：1～3000转/分；粉碎级数：1～100级；粉碎液比固：0.1～100倍；成品粒径：0.1微米～10毫米。浸出温度：-20～160℃；浸出压力：0.1～10兆帕；浸出液酸或盐浓度：0.1～10摩尔；浸出搅拌强度：1～3000转/分；浸出时间：1～90000分钟；浸出级数：1～100级；浸出液比固：1～200倍。还原温度：1～100℃；还原压力：0.1～2兆帕；还原液铟浓度：每升0.1～100克；还原液循环量：0～30000升/分；还原时间：1～10000分钟；还原级数：1～200级；还原电流密度：每平方米1～3200安培；还原电压每槽0.1～10伏特。氧化温度：1～1000℃；氧化压力：0.1～1兆帕；氧化液比固0.01～100；氧化搅拌强度：0～1000转/分；氧化时间：1～70000分钟；氧化级数：1～100级。

6.根据权利要求1所述的上述铟清洁冶炼方法中，其特征在于，在步骤S3中，当前处理得到的海绵铟进入电解铸定工序，同时得到贫铟液，贫铟液返回多级浸出工序。

7.根据权利要求1所述的上述铟清洁冶炼方法中，其特征在于，所述电积工序的工艺条件为：电积温度：1～150℃；电积压力：0.1～20兆帕；电积液铟浓度：每升1～100克；电积液循环量：0～10000升/分；电积时间：1～10000分钟；电积级数：1～300级；电积电流密度：每平方米1～3200安培；电积电压：每槽0.1～10伏特；电积槽：阴阳极为导电极片，阳极为不溶阳极。.

8.根据权利要求1所述的上述铟清洁冶炼方法中，其特征在于，步骤S4中，当前处理得到电解渣返回多级浸出工序。

9.根据权利要求1所述的上述铟清洁冶炼方法中，其特征在于，所述电解工序的工艺条件为：电解压密：海绵铟团含水小于5％；电解熔炼：铟碱比0.01～100；利用镉的低沸点物理特性，除镉选用这空蒸馏法除镉；化学歧化法除铊；电解工序温度：1～1600℃；电解工序压力：0.001～2兆帕；电解液铟浓度每升0.1～100克；电解液循环量：0～30000升/分；电解时间：1～10000分钟；电解级数：1～100级；电解电流密度：每平方米1～3200安培；电解电压每槽0.01～10伏特；可溶阳极电解。