[发明专利]一次写入光学记录介质及其制造方法

权利要求书

1.一种一次写入光学记录介质，包括：

无机记录层；

保护层，包含氧化铟和氧化锡作为主要成分，所述保护层被设置在所述无机记录层的至少一个表面上；以及

热积累层，其设置在所述无机记录层的至少一个表面上，

其中，所述无机记录层与所述热积累层邻接，

其中，所述热积累层具有比所述保护层的热传导率低的热传导率。

2.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，其中，所述热积累层包含ZnS和SiO₂作为主要成分。

3.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，其中，当以d1来表示所述保护层的厚度，而以d2来表示所述热积累层的厚度时，这些厚度d1和d2满足关系0.07≤d2/(d1+d2)≤0.95，其中，所述热积累层设置在所述保护层和所述无机记录层之间。

4.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，其中，所述保护层设置在所述无机记录层的表面中的用于记录和/或再生的激光束入射到其上的表面上，并且

所述保护层的厚度为11nm以上且34nm以下。

5.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，其中，所述无机记录层包含ZnS、SiO₂以及Sb作为主要成分。

6.根据权利要求5所述的一次写入光学记录介质，其中，所述无机记录层包含选自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所组成的组中的至少一种元素。

7.根据权利要求5所述的一次写入光学记录介质，其中，所述无机记录层具有满足以下式(1)的组成：

[(ZnS)_x(SiO₂)_1-x]_y(Sb_zX_1-z)_1-y…(1)

其中，0＜x≤1.0、0.3≤y≤0.7、以及0.8＜z≤1.0，并且X为选自由Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn以及Tb所组成的组中的至少一种元素。

8.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，其中，所述无机记录层的厚度为3nm以上且40nm以下。

9.根据权利要求1所述的一次写入光学记录介质，其中，所述无机记录层包含Te和Pd作为主要成分。

10.一种一次写入光学记录介质的制造方法，包括：

形成无机记录层的步骤，

形成包含氧化铟和氧化锡作为主要成分的保护层的步骤；以及形成热积累层的步骤，

其中，所述保护层设置在所述无机记录层的至少一个表面上，并且

其中，在形成所述保护层的步骤中，所述保护层通过直流溅射方法形成，

所述热积累层设置在所述无机记录层的至少一个表面上，

其中，所述无机记录层与所述热积累层邻接，

其中，所述热积累层具有比所述保护层的热传导率低的热传导率。