[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种LDMOS（20），包括：

 源区（210），

栅介质层（230），

漏区（220），

设置在所述漏区（220）和栅介质层（230）之间的漂移区，

设置在所述漂移区之上的场氧化层（240），以及

栅极（231）；

其特征在于，所述栅极包括对应设置在所述栅介质层之上的第一部分（230a）和从所述第一部分延伸至部分所述场氧化层之上的第二部分（230b）；所述第二部分（230b）在沟道方向的第二长度（L3）被设置为小于预定长度值（L2）以减小所述LDMOS的栅-漏电容；

其中，所述LDMOS的崩溃电压随所述第二长度（L3）的变化而变化，所述LDMOS的栅极的第二部分（230b）的长度如果被设置为等于所述预定长度值（L2）时，所述LDMOS的崩溃电压能够基本达到最大崩溃电压值；

并且，所述LDMOS还包括设置在场氧化层（240）之上的用于提高LDMOS的崩溃电压的场区辅助电极（250）。

2.如权利要求1所述的LDMOS，其特征在于，通过设置所述场区辅助电极（250）在沟道方向的长度（L4）以使所述LDMOS的崩溃电压基本等于最大崩溃电压值。

3.如权利要求1或2所述的LDMOS，其特征在于，所述场区辅助电极（250）在沟道方向的长度（L4）基本等于所述预定长度值（L2）减去所述第二长度（L3）和所述场区辅助电极（250）相对所述第二部分（230b）的间距（d）之后所得的值。

4.如权利要求1所述的LDMOS，其特征在于，所述第二长度（L3）等于所述预定长度值（L2）的10%至90%。

5.如权利要求1所述的LDMOS，其特征在于，所述第二长度（L3）等于所述预定长度值（L2）的30%。

6.如权利要求1所述的LDMOS，其特征在于，所述LDMOS形成于第一导电类型的半导体衬底（200）之上；

所述LDMOS还包括：

形成在所述半导体衬底（200）中的第一导电类型的第一阱（201）；

形成在所述半导体衬底（200）中的第二导电类型的第二阱（202）。

7.如权利要求6所述的LDMOS，其特征在于，所述源区（210）形成于所述第一阱（201）中，所述漏区（220）形成于所述第二阱（202）中。

8.如权利要求6或7所述的LDMOS，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

9.如权利要求1或2所述的LDMOS，其特征在于，所述场区辅助电极（250）接地。

10. 如权利要求9所述的LDMOS，其特征在于，所述场区辅助电极（250）的被设置在相对靠近所述漏区（230）一侧的所述场氧化层（240）之上。

11.如权利要求1或2所述的LDMOS，其特征在于，所述LDMOS应用于开关式电源管理芯片。