[发明专利]金属络合物有效
申请号: | 201210043328.2 | 申请日: | 2004-09-28 |
公开(公告)号: | CN102627671A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 罗科·福特;菲利普·施托塞尔;安雅·格哈德;霍斯特·韦斯特韦伯 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司 |
主分类号: | C07F15/00 | 分类号: | C07F15/00;C07D221/18;C09K11/06;H01L51/00;H01L51/54 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 郭国清;樊卫民 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 络合物 | ||
本申请是申请日为2004年9月28日,申请号为200480028250.0(国际申请号PCT/EP2004/010836),名称为“金属络合物”的中国国家申请的分案申请。
本发明涉及新颖的材料和材料混合物在有机电子器件比如电致发光元件中的用途,及它们在基于电致发光元件的显示器中的用途。
在一系列不同类型的在电子工业中在最宽广意义上分类的应用场合中,有机半导体用作活性组分(=功能材料)在最近或者在不久的将来可以预期成为现实。例如,光敏有机材料(例如酞菁)和有机电荷迁移材料(通常三芳胺基空穴输送器)好几年已经发现可用于复印机中。特定的半导体有机化合物,其中有一些同样能够在可见光谱区发射光,正开始要引入市场例如用于有机场致发光器件中。它们单独的元件,有机发光二极管(OLEDs),具有非常宽的光谱应用,作为:
1.用于单色的或者多色的显示元件(例如袖珍式计算器,移动电话及其他手提式的应用场合)的白色或者彩色背光,
2.大表面面积的显示器(例如交通标志、告示板等),
3.以所有的颜色和形式的照明元件,
4.用于手提式应用场合(例如移动电话、PDAs、录像摄像机等)的单色的或者全色彩无源矩阵显示器,
5.用于各式各样应用场合(例如移动电话、PDAs、膝上计算机、电视接收机等)的全色彩、大表面面积、高分辨率的活性基质显示器。
一些应用场合的开发已经非常先进。例如,包含简单的OLEDs的器件已经引入市场,如具有有机显示器的Pioneer汽车收音机或者Kodak的数字式摄象机所表明;然而仍然强烈需要技术改进。
最近几年中在这个方向进行的开发是使用有机金属络合物,其显示磷光代替荧光作用[M.A.Baldo,S.Lamansky,P.E.Burrows,M.E.Thompson,S.R.Forrest,Applied Physics Letters,1999,75,4-6]。由于量子力学的原因,利用有机金属化合物高到四倍量子效率、能量效率和功率效率是可能的。这种新发展能否形成本身首先强烈地取决于能否找到对应的同样利用这些OLEDs优点(与单线态发射=荧光作用相比三重态发射=磷光)的器件构造。本发明用于实际用途的主要条件特别是高的有效寿命、抗热应力的高稳定性、低耗费和工作电压,以能够用于可携带的应用场合。
有机电致发光器件的一般结构描述在例如US 4,539,507和US 5,151,629中。通常,一种有机电致发光器件由多个通过真空法或者各种各样的印刷方法施加到彼此上的层组成。这些层具体是:
1.载板=底物(通常为玻璃或者塑料薄膜)。
2.透明阳极(通常为氧化锡铟,ITO)。
3.空穴注入层(空穴注入层=HIL):例如基于铜酞菁(CuPc)或者导电聚合物比如聚苯胺(PANI)或者聚噻吩衍生物(比如PEDOT)。
4.一种或多种空穴传输层(空穴传输层=HTL):通常基于三芳胺衍生物例如4,4’,4”-三(N-1-萘基-N-苯基氨基)三苯胺(NaphDATA)作为第一层,N,N’-二(石脑油-1-基)-N,N’-二苯胺联苯(NPB)作为第二空穴传输层。
5.一种或多种发射层(发射层=EML):该层可以部分与层4-8一致,但是通常由基质组成,比如4,4’-双(咔唑-9-基)二苯基(CBP),掺杂有磷光染料,例如三(2-苯基吡啶基)铱(Ir(PPy)3)或者三(2-苯并噻吩甲基吡啶基)铱(Ir(BTP)3);然而,所述发射层同样可以由聚合物、聚合物混合物、聚合物和低分子量化合物的混合物或者不同低分子量化合物的混合物组成。
6.空穴阻挡层(空穴阻挡层=HBL):该层可以部分与层7和8一致。它通常由BCP(2,9-二甲基-4,7-联苯基-1,10-菲绕啉=深亚铜试剂)或者双(2-甲基-8-喹啉醇合)(4-苯基苯酚合)铝(III)(BAlq)组成。
7.电子传递层(电子传递层=ETL):通常基于三-8-羟基喹啉铝(AlQ3)。
8.电子注入层(电子注入层=EIL):薄层由具有高介电常数的材料例如LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF组成。
9.阴极:本发明,通常使用具有低功函数的金属、金属组合物或者金属合金,例如Ca、Ba、Cs、Mg、Al、In、Mg/Ag。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于默克专利有限公司,未经默克专利有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210043328.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。