[发明专利]一种LED芯片

权利要求书

1.一种LED芯片，包括P型电极区（17）和N型电极区（18），所述P型电极区（17）从下至上依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光反射层（9）以及绝缘介质膜（13），所述N型电极区（18）从下至上依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）以及绝缘介质膜（13），P型电极（21）下端穿过所述绝缘介质膜（13）与光反射层（9）连接，P型电极（21）上端与第一PCB板（24）连接，所述衬底（1）由上凹孔结构（26）和下凹孔结构（27）组合而成，其特征在于：所述N型电极（22）为阶梯结构；所述N型电极（22）的下端穿过所述绝缘介质膜（13）与所述N型层（3）连接；所述N型电极（22）的中间部分贴在垂直部分的绝缘介质膜（13）上；所述N型电极（22）的上端位于最上方绝缘介质膜（13）之上并且向P型电极（21）的位置延伸，所述N型电极（22）的上端与第二PCB板（23）连接，所述N型电极（22）的上端与P型电极（21）存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面。

2.根据权利要求1所述LED芯片，其特征在于：所述上凹孔结构（26）的各个凹孔直径大于都所述下凹孔结构（27）各个凹孔的直径。

3.根据权利要求2所述LED芯片，其特征在于：所述P型电极（21）上端通过焊锡与第一PCB板（24）进行固定。

4.根据权利要求3所述LED芯片，其特征在于：所述P型电极（21）通过所述第一PCB板（24）与散热板（25）进行固定连接。

5.根据权利要求2所述LED芯片，其特征在于：所述P型电极（21）上端通过焊锡与第二PCB板（23）进行固定。

6.根据权利要求4或5所述LED芯片，其特征在于：所述N型电极（22）通过所述第二PCB板（23）与散热板（25）进行固定连接。

7.根据权利要求1-6中任何一项所述LED芯片，其特征在于：所述绝缘介质膜（13）的厚度在150nm-450nm之间。

8.根据权利要求7所述LED芯片，其特征在于：所述衬底（1）的材质为蓝宝石、碳化硅或GaN。