[发明专利]一种薄膜沉积设备

说明书

技术领域

本发明涉及真空镀膜设备领域，特别是涉及一种薄膜沉积设备。

背景技术

真空镀膜设备的使用广范分布于各行各业，所需镀膜基片种类繁多。在太阳能行业中，真空镀膜技术的使用遍及各个环节，使用的基片包括玻璃、金属、塑料及硅片等；所镀薄膜材料也是多种多样，如减反膜、导电膜、绝缘膜、硅基薄膜等；所使用的设备种类各不相同，如管式、板式、团簇式等等，方法有等离子体、分子束、磁控溅射、热蒸发等。因此为了使薄膜沉积工艺更为稳定亟需一种稳定的薄膜沉积设备。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种薄膜沉积设备，能够避免由于外部沾污原因造成的性能下降，提高了工艺的稳定性及重复性。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种薄膜沉积设备，包括基片预处理部分和薄膜沉积部分，所述基片预处理部分包括依次连通并由气动门隔开的基片装入腔室、表面处理腔室和烘干腔室；所述基片装入腔室、表面处理腔室和烘干腔室间由传递装置对装有基片的基片挂架进行传送；所述薄膜沉积部分包括依次连通的预热腔、传递腔和薄膜沉积腔，所述预热腔与传递腔之间设有高真空插板阀；所述烘干腔室与预热腔相连通，所述烘干腔室与预热腔之间设有高真空插板阀；所述预热腔内设有基片挂架，所述烘干腔室内设有将基片挂到预热腔内的基片挂架上的机械手；所述传递腔内设有用于将预热腔内的基片送入薄膜沉积腔的三维旋转机械手；所述预热腔还分别与充氮装置和抽真空装置相连。

所述薄膜沉积部分还包括与传递腔连通的取片腔。

所述表面处理腔室包括一个稀酸槽和一个处理槽。

所述烘干腔室内设有热高纯氮气风刀；所述热高热高纯氮气风刀与机械手之间设有隔断门。

所述薄膜沉积腔中装有基片加热装置，所述基片加热装置上带有用于固定基片的插槽。

所述薄膜沉积腔采用等离子体方法、磁控溅射法或电感法乘积薄膜。

所述薄膜沉积腔采用不锈钢材料或铝材料制成。

所述基片挂架顶部设有T型连接件；所述T型连接件与所述传递装置相连。

有益效果

由于采用了上述的技术方案，本发明与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：本发明可实现薄膜材料的连续沉积，可在同一设备的不同腔室中连续镀制不同类型的薄膜材料，可对基片两面在不破真空情况下进行镀膜，整套电池工艺在密闭或真空环境中完成，避免由于外部沾污原因造成的性能下降，提高了工艺的稳定性及重复性。

附图说明

图1是本发明中基片预处理部分俯视示意图；

图2是本发明中薄膜连续沉积部分俯视示意图；

图3是本发明中基片挂架侧视示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

本发明的实施方式涉及一种薄膜沉积设备，包括基片预处理部分和薄膜沉积部分。基片预处理部分由三个腔室组成：基片装入腔室1、表面处理腔室2、烘干腔室3，三个腔室间由传递装置对装有基片的基片挂架进行传送，腔与腔之间由气动门隔开；薄膜沉积部分主要用于薄膜沉积，由预热腔6、传递腔7、薄膜沉积腔8等组成。

如图1所示，所述基片预处理部分包括依次连通并由气动门隔开的基片装入腔室1、表面处理腔室2和烘干腔室3；所述基片装入腔室1、表面处理腔室2和烘干腔室3间由传递装置对装有基片的基片挂架10进行传送。其中，表面处理腔室2和烘干腔室3还设有检修口4，以便于维修方便。

基片装入腔室1用于装入基片并与外界隔离，基片放置于基片挂架10上，基片挂架10上可放置多片基片，基片数量依设备情况而定，基片材料可以是玻璃、硅片、塑料或金属薄片，基片尺寸以实际需求而定；基片挂架10通过其上部的T型连接件11(见图3)与传送装置连接，并通过传送装置将基片挂架10传送至下一工艺环节。表面处理腔室2用于基片表面预处理，包括一个稀酸槽、一个温水槽或其它因工艺需求的处理槽。烘干腔室3用于基片表面烘干，采用热风刀方式，此腔室还配有一只机械手用于预热腔间的基片交接。