[发明专利]复合导电结构及其制造方法与具有其的显示及触控面板

权利要求书

1.一种复合导电结构，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第一导电层，设置于所述第一基板上，所述第一导电层包括一结晶态导电膜和一非结晶态导电膜。

2.如权利要求1所述的复合导电结构，其特征在于，更包括一阻挡层，设置于所述第一基板与所述第一导电层之间。

3.如权利要求1所述的复合导电结构，其特征在于，所述第一基板为一软性基板。

4.如权利要求1所述的复合导电结构，其特征在于，所述结晶态导电膜介于所述第一基板与所述非结晶态导电膜之间。

5.如权利要求1所述的复合导电结构，其特征在于，所述非结晶态导电膜介于所述第一基板与所述结晶态导电膜之间。

6.如权利要求1所述的复合导电结构，其特征在于，所述结晶态导电膜为一第一金属氧化物的结晶态，所述非结晶态导电膜为一第二金属氧化物的非结晶态。

7.如权利要求6所述的复合导电结构，其特征在于，所述第一金属氧化物为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物或铟镓锌氧化物，所述第二金属氧化物为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物或铟镓锌氧化物。

8.如权利要求7所述的复合导电结构，其特征在于，所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物为相同材料。

9.一种触控面板，其特征在于，其包括如权利要求1所述的复合导电结构。

10.如权利要求9所述的触控面板，其特征在于，所述第一导电层作为一第一感测电极、一读取电极及一屏蔽电极其中之一。

11.如权利要求10所述的触控面板，其特征在于，所述第一导电层作为一第一感测电极，所述第一感测电极具有多个第一图案化电极，所述些第一图案化电极以一第一方向串接排列。

12.如权利要求11所述的触控面板，其特征在于，更包括一第二感测电极，其具有多个第二图案化电极，所述第二图案化电极以一第二方向串接排列，所述第一方向和所述第二方向不同。

13.如权利要求12所述的触控面板，其特征在于，所述第二感测电极包括一结晶态导电膜和一非结晶态导电膜。

14.如权利要求12所述的触控面板，其特征在于，更包括一第二基板，其中所述第二感测电极设置于所述第二基板上。

15.一种显示面板，其特征在于，包括：

如权利要求1所述的复合导电结构；

一第三基板；以及

一显示介质层，设置于所述复合导电结构和所述第三基板之间，

其中所述第一导电层作为一电极。

16.如权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述电极为一像素电极、一共同电极、一扫描线及一数据线其中之一。

17.一种复合导电结构的制造方法，其特征在于，包括：

形成一第一基板；

形成一非结晶态的初始导电膜在所述第一基板上；以及

使得所述初始导电膜上表面进行结晶化，而形成一结晶态导电膜和一非结晶态导电膜。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述结晶态导电膜为一第一金属氧化物的结晶态，所述非结晶态导电膜为一第二金属氧化物的非结晶态。

19.一种复合导电结构的制造方法，其特征在于，包括：

形成一第一基板；

形成一非结晶态的初始导电膜于所述第一基板上；

使所述初始导电膜进行结晶化，而形成一结晶态导电膜；以及

形成一非结晶态导电膜于所述结晶态导电膜上。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述结晶态导电膜为一第一金属氧化物的结晶态，所述非结晶态导电膜为一第二金属氧化物的非结晶态。