[发明专利]一种阻变存储器的制备方法无效
| 申请号： | 201210041447.4 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102593352A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 黄如;谭胜虎;张丽杰;潘岳;黄英龙;杨庚宇;唐昱;毛俊;蔡一茂 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：
1)在衬底上制备底电极。
2)采用干氧氧化或湿氧氧化对底电极金属进行部分氧化，形成厚度为3nm-50nm的金属氧化物，所述金属氧化物层作为阻变材料层；
3)在上述阻变材料层上制备顶电极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，底电极和顶电极是采用PVD方法或其它IC工艺中的成膜方法制备。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底电极材料为W电极、Ta电极、Ti电极、Al电极、Y电极、Hf电极。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底电极金属的厚度范围为100nm-300nm。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶电极为Pt电极、TiN电极、Cu电极或者Ag电极。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶电极上面加有保护电极，保护电极为铂、钛或者金。
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