[发明专利]加工对象物切断方法有效

专利信息
申请号: 201210040648.2 申请日: 2006-07-03
公开(公告)号: CN102581494A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 坂本刚志;村松宪一 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: B23K26/40 分类号: B23K26/40;B28D5/00;H01L21/78
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 加工 对象 切断 方法
【权利要求书】:

1.一种加工对象物切断方法,其特征在于:

沿着切断预定线将包括基板以及叠层部的加工对象物切断成各个功能元件,其中所述叠层部具有多个所述功能元件且设置在所述基板的表面上,包括:

通过将聚光点对准所述基板的内部并从所述叠层部侧照射激光,从而沿着所述切断预定线,在所述基板的内部形成从所述基板的厚度方向的中心位置偏向所述基板的背面侧的第1改质区域的工序;

通过将聚光点对准所述基板的内部并从所述叠层部侧照射激光,从而沿着所述切断预定线,在所述基板的内部形成从所述基板的厚度方向的中心位置偏向所述基板的表面侧的第2改质区域,并从所述第2改质区域向所述基板的表面产生裂缝的工序;

在形成所述第1以及所述第2改质区域后,在使安装于所述基板的背面的可扩张部件进行扩张的状态下,在所述加工对象物内产生应力以使所述裂缝打开的工序。

2.根据权利要求1所述的加工对象物切断方法,其特征在于:

在所述基板中的沿着所述切断预定线的部分中,相对于所述基板的厚度方向的中心位置而位于所述基板的表面侧的部分中的所述第2改质区域的形成密度,高于相对于所述基板的厚度方向的中心位置而位于所述基板的背面侧的部分中的所述第1改质区域的形成密度。

3.根据权利要求1所述的加工对象物切断方法,其特征在于:

在所述基板中的沿着所述切断预定线的部分中,所述第2改质区域的列数多于所述第1改质区域的列数。

4.根据权利要求1所述的加工对象物切断方法,其特征在于:

在所述基板的内部形成所述第1改质区域后,在所述基板的内部形成所述第2改质区域,从所述第2改质区域向所述基板的表面产生裂缝。

5.根据权利要求1所述的加工对象物切断方法,其特征在于:

通过介由所述可扩张部件对所述基板的背面顶压按压部件,从而在所述加工对象物内产生应力以使所述裂缝打开。

6.根据权利要求1所述的加工对象物切断方法,其特征在于:

所述基板是半导体基板,所述第1和所述第2改质区域包括熔融处理区域。

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