[发明专利]常关半导体开关和常关JFET

权利要求书

1.一种常关JFET，包括：

第一导电类型的沟道区域；

邻接沟道区域的第二导电类型的浮置半导体区域；

邻接浮置半导体区域的第一导电类型的接触区域；

其中浮置半导体区域布置在接触区域和沟道区域之间。

2.根据权利要求1所述的常关JFET，还包括与接触区域欧姆接触的栅极金属化。

3.根据权利要求1所述的常关JFET，其中具有第一比耗尽电容的第一pn结在沟道区域和浮置半导体区域之间形成，且其中具有比第一耗尽电容大的第二比耗尽电容的第二pn结在接触区域和浮置半导体区域之间形成。

4.根据权利要求3所述的常关JFET，其中第二比耗尽电容至少是第一比耗尽电容的10倍。

5.根据权利要求1所述的常关JFET，其中沟道区域、浮置半导体区域和接触区域包括宽带隙半导体材料。

6.根据权利要求1所述的常关JFET，其中常关JFET是垂直功率半导体器件。

7.一种常关半导体开关，包括：

半导体本体，包括：

第一导电类型的沟道区域；

与沟道区域形成第一pn结的第二导电类型的浮置半导体区域；以及

与浮置半导体区域形成第二pn结的第一导电类型的接触区域；

与接触区域欧姆接触的栅极金属化；

其中浮置半导体区域布置在接触区域和沟道区域之间。

8.根据权利要求7所述的常关半导体开关，其中第一pn结具有第一比耗尽电容，且其中第二pn结具有高于第一比耗尽电容的第二比耗尽电容。

9.根据权利要求7所述的常关半导体开关，其中半导体本体具有主水平表面，接触区域延伸到该主水平表面且栅极金属化布置在该主水平表面上，该常关半导体开关还包括邻接沟道区域的第一导电类型的漂移区域以及与漂移区域欧姆接触且与栅极金属化相对布置的漏电极。

10.根据权利要求9所述的常关半导体开关，还包括与沟道区域欧姆接触且与漏电极相对布置的源电极。

11.根据权利要求10所述的常关半导体开关，还包括与源电极欧姆接触且相邻沟道区域布置的第二导电类型的另外的半导体区域。

12.根据权利要求11所述的常关半导体开关，其中该第二导电类型的另外的半导体区域布置为使得浮置半导体区域相对漏电极至少部分地被遮蔽。

13.根据权利要求7所述的常关半导体开关，其中常关半导体开关是宽带隙功率半导体器件。

14.一种常关JFET，包括：

第一导电类型的沟道区域；

邻接沟道区域的第二导电类型的栅极区域；

栅极金属化；以及

在栅极金属化和栅极区域之间形成的电容器。

15.根据权利要求14所述的常关JFET，其中具有第一耗尽电容的第一pn结在沟道区域和栅极区域之间形成，且其中电容器具有高于第一耗尽电容的电容。

16.根据权利要求14所述的常关JFET，还包括具有主水平表面的半导体本体，栅极区域延伸到该主水平表面，其中电容器布置在该主水平表面上。

17.一种常关半导体开关，包括：

半导体本体，包括：

第一导电类型的沟道区域；以及

与沟道区域形成具有第一耗尽电容的第一pn结的第二导电类型的栅极区域；

栅极金属化；以及

在栅极金属化和栅极区域之间形成的电容器，该电容器具有高于第一耗尽电容的电容。

18.根据权利要求17所述的常关半导体开关，其中常关半导体开关是功率半导体器件。

19.根据权利要求17所述的常关半导体开关，其中半导体本体具有主水平表面，栅极区域延伸到该主水平表面且栅极金属化布置在该主水平表面上，该常关半导体开关还包括邻接沟道区域的第一导电类型的漂移区域以及与漂移区域欧姆接触且与栅极金属化相对布置的漏电极。

20.根据权利要求19所述的常关半导体开关，还包括与沟道区域欧姆接触且与漏电极相对布置的源电极。