[发明专利]发光二极管封装方法无效
| 申请号： | 201210039109.7 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103258921A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张耀祖 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 方法 | ||
1.一种发光二极管的封装方法，包括以下步骤：
提供第一电极以及第二电极，第一电极与第二电极相互绝缘；
在第一电极与第二电极之上设置隔挡层，隔挡层中具有一环形的沟槽，所述沟槽从隔挡层的顶面贯穿所述隔挡层以暴露出第一电极与第二电极的部分区域；
采用点胶的方式在沟槽中注入胶体材料，并使该胶体材料固化以形成反射元件，所述反射元件的内部具有一反射腔；
去除所述隔挡层；
在反射腔内设置发光二极管晶粒，所述发光二极管晶粒分别与第一电极和第二电极电性连接；以及
在反射腔内填充封装材料层以完全覆盖发光二极管晶粒。
2.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，所述第一电极与第二电极之间形成有绝缘材料层。
3.如权利要求2所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，所述绝缘材料层顶部的宽度小于绝缘材料层底部的宽度。
4.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，所述隔挡层由特氟龙材料制作。
5.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，所述隔挡层的高度范围为200μm到300μm。
6.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，所述沟槽将隔挡层分成第一部分和第二部分，第一部分环绕第二部分设置，第二部分形成在隔挡层的中间位置且同时覆盖第一电极和第二电极的部分区域。
7.如权利要求6所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，所述第二部分具有一个底面和多个侧面，所述多个侧面倾斜于底面设置，第二部分的截面面积沿远离第一电极与第二电极所在平面的方向上逐渐增大。
8.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，所述反射元件的制作材料包括聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环氧树脂或硅树脂。
9.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，所述反射元件的高度与隔挡层的高度相同。
10.如权利要求1所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，所述封装材料层的厚度小于反射元件的高度。
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