[发明专利]存储单元的访问方法和存储单元在审

专利信息
申请号: 201210037743.7 申请日: 2012-02-17
公开(公告)号: CN103257830A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 李凡智;刘旭国 申请(专利权)人: 联想(北京)有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 安之斐
地址: 100085*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 存储 单元 访问 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及计算机技术领域,更具体地,本发明涉及一种存储单元的访问方法和存储单元。

背景技术

随着计算机与通信技术的不断发展,诸如固态硬盘(SSD)之类的存储单元已经在我们的日常生活中屡见不鲜。

固态硬盘是一种采用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘。固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法与普通硬盘的完全相同,并且广泛应用于通信终端、视频监控等各种领域。

固态硬盘根据其存储单元的介质不同,可以分为采用闪存(Flash)或动态随机存取存储器(DRAM)作为存储介质的固态硬盘。其中,在基于闪存的固态硬盘中,其存储单元又可以分为两类:单层式储存单元(SLC)和多层式储存单元(MLC)。基于闪存的固态硬盘目前普遍使用在笔记本、平板电脑(PAD)、数码相机或摄像机等中。这种SSD最大的优点就是可以移动,而且数据保护不受电源控制,能适应于各种环境。但是一般而言,它们的使用年限不高,并且读写寿命也不对称。以基于SLC的固态硬盘为例,它可以进行100万次以上的读取操作,但是却只能进行1万次左右的写入操作。因而,如何延长SSD使用寿命是本领域技术人员目前面临的关键问题。

在现有技术中,一种用于延长固态硬盘的读写寿命的解决方案在于,通过修剪(TRIM)技术来估算闪存寿命并执行相应的优化。然而,这种方式仅仅是利用TRIM技术中的特定算法来对每个存储单元的读写次数进行大致估计,由于这种估计的准确度并不太高,这就造成了对于闪存读写操作的优化不够准确,从而无法很好地延长SSD使用寿命。

另一种解决方案在于,在固态硬盘中,仅仅通过一部分存储单元来进行读写操作,而保留另一部分的存储单元作为备用,当发现某些存储单元由于超出读写次数(例如,写入次数超过1万次,或读取次数超过100万次)而损坏时,采用该备用的存储单元替代损坏的存储单元来后续操作。然而,这种解决方案显然浪费了一部分的存储单元,减少了固态硬盘日常的可用容量。

因此,需要一种存储单元的读写方法,其能够充分考虑到存储单元的读写寿命短、以及读写次数不对称的特点来对存储单元进行访问,以提高存储单元的使用寿命。

发明内容

为了解决上述技术问题,根据本发明的一个方面,提供了一种存储单元的访问方法,应用于一存储单元,所述存储单元包括多个存储区域,其特征在于,所述方法包括:记录所述存储单元中的每个存储区域的被写入次数;以及当所述存储单元中的第一存储区域的被写入次数超过一阈值次数时,将所述第一存储区域中存储的第一类数据转移至第二存储区域,其中,所述第二存储区域的被写入次数小于所述阈值次数。

此外,根据本发明的另一方面,提供了一种存储单元,所述存储单元包括多个存储区域,其特征在于,所述存储单元包括:记录装置,用于记录所述存储单元中的每个存储区域的被写入次数;以及转移装置,用于当所述存储单元中的第一存储区域的被写入次数超过一阈值次数时,将所述第一存储区域中存储的第一类数据转移至第二存储区域,其中,所述第二存储区域的被写入次数小于所述阈值次数。

根据本发明的又一方面,提供了一种存储单元的访问方法,应用于一存储单元,所述存储单元包括多个存储区域,其特征在于,所述方法包括:记录所述存储单元中的每个存储区域的被访问次数;以及当所述存储单元中的第一存储区域的被访问次数超过一阈值次数时,将所述第一存储区域中存储的第一类数据转移至第二存储区域,其中,所述第二存储区域的被访问次数小于所述阈值次数。

根据本发明的又一方面,提供了一种存储单元,所述存储单元包括多个存储区域,其特征在于,所述存储单元包括:记录装置,用于记录所述存储单元中的每个存储区域的被访问次数;以及转移装置,用于当所述存储单元中的第一存储区域的被访问次数超过一阈值次数时,将所述第一存储区域中存储的第一类数据转移至第二存储区域,其中,所述第二存储区域的被访问次数小于所述阈值次数。

与现有技术相比,采用根据本发明的存储单元的访问方法和存储单元,可以记录存储单元中的每个存储区域的被写入次数,并且当某一存储区域的被写入次数超过一阈值次数时,将所述存储区域中存储的数据转移至被写入次数小于所述阈值次数的其他存储区域。因此,本发明可以使得存储单元中的各个存储区域的被写入次数尽量相似,并且防止了由于对于存储单元中的某个存储区域的过多次数的写入而导致该存储区域损坏,从而延长了存储单元的整体寿命。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联想(北京)有限公司,未经联想(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210037743.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top