[发明专利]多级深台阶的形成方法无效
| 申请号： | 201210037515.X | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102543682A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈健;张艳红;张挺 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多级 台阶 形成 方法 | ||
1.一种多层深台阶的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上沉积第一薄膜；
涂覆第一光刻胶，光刻形成第一窗口；
刻蚀去除第一窗口内的第一薄膜，然后去除第一光刻胶；
在上述结构表面沉积第二薄膜；
涂覆第二光刻胶，光刻形成第二窗口，所述第二窗口与第一窗口的位置对应且宽度小于第一窗口；
刻蚀去除第二窗口内的第二薄膜，然后去除第二光刻胶；
以第二薄膜为掩膜刻蚀衬底，在衬底上形成第一台阶；
去除第二薄膜，以第一薄膜为掩膜刻蚀衬底，在衬底上形成第二台阶；
去除第一薄膜。
2.根据权利要求1所述的多层深台阶的形成方法，其特征在于：所述第一薄膜的材料为氧化硅或氮化硅或氮化钛或氧化铝。
3.根据权利要求1所述的多层深台阶的形成方法，其特征在于：所述第二薄膜的材料为为氧化硅或氮化硅或氮化钛或氧化铝。
4.根据权利要求1所述的多层深台阶的形成方法，其特征在于：在去除第一光刻胶的步骤之后、沉积第二薄膜的步骤之前，还包括在上述结构表面沉积一层缓冲层；并且
所述刻蚀去除第二窗口内的第二薄膜的步骤包括刻蚀去除第二窗口内的第二薄膜和缓冲层；
所述去除第二薄膜的步骤包括去除第二薄膜和缓冲层。
5.根据权利要求4所述的多层深台阶的形成方法，其特征在于：所述缓冲层的材料为硼磷硅玻璃或磷硅玻璃。
6.根据权利要求1所述的多层深台阶的形成方法，其特征在于：所述第一台阶的深度为1μm-100μm。
7.根据权利要求1所述的多层深台阶的形成方法，其特征在于：所述第二台阶的深度为1μm-100μm。
8.根据权利要求1所述的多层深台阶的形成方法，其特征在于：所述第一薄膜和第二薄膜沉积采用化学气相淀积方式或溅射方式。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
