[发明专利]铝合金表面干涉膜的形成方法及其结构无效
申请号: | 201210037413.8 | 申请日: | 2012-02-16 |
公开(公告)号: | CN103255458A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 胡少刚;赖锋儒;陈慧珊 | 申请(专利权)人: | 可成科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | C25D11/04 | 分类号: | C25D11/04;C25D11/24;C25D11/20;C25D3/12 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;郑特强 |
地址: | 215122 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铝合金 表面 干涉 形成 方法 及其 结构 | ||
1.一种铝合金表面干涉膜的形成方法,其特征在于,包括:
提供一铝合金工件;
前处理该铝合金工件以清洁其表面;
阳极处理该铝合金工件一预定的时间,直到该表面形成一具有多个管胞状微孔的氧化膜;
以酸性溶液扩孔处理该铝合金工件的该氧化膜,扩大该管胞状微孔的孔径;
通电扩孔处理以扩大该管胞状微孔的底部并形成一沉积区;
沉积特定金属于该管胞状微孔的该沉积区内形成干涉结构;
以封孔剂封孔处理该管胞状微孔;以及除灰。
2.如权利要求1所述的铝合金表面干涉膜的形成方法,其特征在于,该前处理包括脱酯、碱洗、第一次酸洗、化学抛光、及第二次酸洗。
3.如权利要求1所述的铝合金表面干涉膜的形成方法,其特征在于,该阳极处理包括浸泡于浓度为20%至25%的硫酸溶液,温度为15至25摄氏度,电流密度1.4安培/每平方公尺,处理时间为至少30分钟。
4.如权利要求1所述的铝合金表面干涉膜的形成方法,其特征在于,上述以酸性溶液扩孔处理该氧化膜包括将该铝合金工件浸泡于浓度为85%的磷酸溶液,温度为20至25摄氏度,时间为7分钟。
5.如权利要求1或4所述的铝合金表面干涉膜的形成方法,其特征在于,上述通电扩孔处理包括将该铝合金工件连接于阳极,并浸泡于浓度为150g/L的磷酸溶液,温度为20至25摄氏度,通入10伏特的直流电,时间为5分钟。
6.如权利要求1所述的铝合金表面干涉膜的形成方法,其特征在于,上述沉积特定金属包括将该铝合金工件连接于阴极,并浸泡于浓度20%的硫酸及5克/每公升的胺基磺酸镍溶液,温度为20至25摄氏度,通入10伏特的直流电,时间为5分钟。
7.如权利要求1所述的铝合金表面干涉膜的形成方法,其特征在于,上述封孔包括将该铝合金工件浸泡于浓度为7g/L的封孔剂,温度为90±5摄氏度,时间为30分钟。
8.如权利要求1所述的铝合金表面干涉膜的形成方法,其特征在于,该除灰包括以浓度20ml/L的硝酸处理。
9.一种铝合金表面的干涉膜结构,位于该铝合金工件的氧化膜上,该氧化膜包括多个管胞状微孔,其特征在于,该干涉膜结构包括:
多个位于该管胞状微孔底部的沉积区,其中该沉积区的孔径大于该管胞状微孔的孔径;
多个由金属离子构成的反射部,部分地沉积于该沉积区内;及
一封孔层,覆盖于该氧化膜上。
10.如权利要求9所述的铝合金表面的干涉膜结构,其特征在于,该反射部的金属为镍。
11.如权利要求9所述的铝合金表面的干涉膜结构,其特征在于,该沉积区的高度为0.5nm至1nm,该反射部的高度低于该沉积区的高度。
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