[发明专利]高隔离度的低杂讯降频器

权利要求书

1.一种高隔离度的低杂讯降频器，包括：

一本体，内部具有容置空间；

一电路板，设置在该容置空间内，其电性连接一输出端；

一导波管，由该本体向前延伸的管状体，其管内形成一第一导波腔室；

一馈电器，由设于该导波管前端的串联同心环所构成；

其特征在于：

该本体由一前壳体及一后壳体所组成，该前壳体于该导波管的第一导波腔室侧边，呈连通状设有一向前凸伸的第三导波腔室；该后壳体相对于该第三导波腔室设有一向后凸伸的第四导波腔室，再者该后壳体相对于该导波管的第一导波腔室，设有一向后凸伸的第二导波腔室；

该电路板的后侧面对应于该第二及第四导波腔室，在其表面直接印刷设有一水平探针及一垂直探针；

借此，该水平探针位于该第一导波腔室与第二导波腔室之间，且面向该第二导波腔室，用以接收水平极化的电波，而该垂直探针位于该第三导波腔室与第四导波腔室之间，且面向该第四导波腔室，用以接收垂直极化的电波，借由第一、二、三、四导波腔室的设计，据以将水平电波及垂直电波讯号分隔开来。

2.根据权利要求1所述的高隔离度的低杂讯降频器，其特征在于，所述第二导波腔室配合所述第一导波腔室设成圆型体，且后侧面及周缘呈封闭而开口朝前面对所述电路板的圆型空腔，使所述第一及第二导波腔室组成前、后对应的水平电波空腔。

3.根据权利要求2所述的高隔离度的低杂讯降频器，其特征在于，所述第三导波腔室与所述第一导波腔室之间形成一连通的长槽，且所述第三导波腔室自所述长槽横向延伸，形成前侧面及周缘呈封闭而开口朝后面对所述电路板的长型空腔，所述第四导波腔室对应于所述第三导波腔室，设成后侧面及周缘封闭而开口朝前面对所述电路板的长型空腔，使所述第三及第四导波腔室组成前、后对应的垂直电波空腔。

4.根据权利要求3所述的高隔离度的低杂讯降频器，其特征在于，所述电路板于所述水平探针周边，设有可供水平电波由所述第一导波腔室导入所述第二导波腔室的缺槽，而所述电路板于所述垂直探针周边，设有可供垂直电波由所述第三导波腔室导入所述第四导波腔室的缺槽。