[发明专利]一种AgTiB2触头材料的制备方法无效
申请号: | 201210036775.5 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN102534280A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 王献辉;张天明;邹军涛;梁淑华;刘马宝;刘启达 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | C22C1/05 | 分类号: | C22C1/05;C22C5/06;C22C32/00;H01H1/023;H01H11/04 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 agtib sub 材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于金属材料制备技术领域,具体涉及一种AgTiB2触头材料的制备方法。
背景技术
AgTiB2触头材料具有高导电导热性和良好的耐电弧侵蚀性能,在触头材料中有着广泛的应用潜力。随着对开关电器的小型化、长寿命和可靠性要求的不断提高,对触头材料的性能提出了愈来愈高的要求。目前Ag基触头材料的制备主要采用传统粉末冶金法,制备的产品致密度不高,导致低的导电性和差的耐电弧侵蚀性能。如果对强化相和材料组织进行调控,既能提高致密度,又能分散电弧,减少电弧对触头材料的集中侵蚀,可显著提高AgTiB2触头材料耐电弧侵蚀性能。
发明内容
本发明的目的是提供一种AgTiB2触头材料的制备方法,克服了现有方法制备的Ag基触头材料致密度低,导致导电性和耐电弧侵蚀性能差的问题。
本发明所采用的技术方案是,一种AgTiB2触头材料的制备方法,按以下步骤实施:
步骤1,球磨
将平均粒径为1~10μm、纯度不低于99.9%的TiB2颗粒在高能球磨机中球磨,并在球磨机中添加过程控制剂,控制球磨机转速为150~400rpm,球磨时间为60~120h;
步骤2,混粉
将步骤1球磨好的TiB2颗粒与平均粒径为50~100μm、纯度不低于99.99%的Ag粉在混料机中进行混合,TiB2颗粒占TiB2颗粒与Ag粉总质量的0.1~10%,混粉时间为1~5h;
步骤3,压制
将经步骤2混合好的粉末进行冷压,压强为200~400MPa,保压时间为10~40s;
步骤4,烧结
将经过步骤3压制的压坯置于高温真空烧结炉中,先对炉内抽真空,保证炉体内的真空度不低于10-3Pa,然后对炉内进行加热,当炉内温度达到400℃~600℃时,保温30min;再升温到600℃~700℃时,保温30min;再继续升温到最终烧结温度700℃~900℃时,保温120min后,随炉自然冷却到室温,即获得AgTiB2触头材料。
本发明的特点还在于,
步骤1中磨球为玛瑙球,球料比为20∶1~60∶1。
步骤1中的过程控制剂为无水乙醇,添加量为TiB2颗粒总质量的2~5%。
步骤3中通过模具控制压坯直径为20~40mm,压坯高度为10~30mm。
步骤4中3次升温过程中的升温速度均为10~30℃/min。
本发明的方法制成的触头材料,提高了AgTiB2触头材料的致密度和硬度,制备的AgTiB2触头材料具有优良的耐电弧侵蚀性能。
附图说明
图1是本发明制备方法的流程图;
图2是现有方法制备的AgTiB2触头材料显微组织照片;
图3是本发明实施例1中采用球磨的TiB2粉末制备的AgTiB2触头材料显微组织照片;
图4是现有方法制备的AgTiB2触头材料电弧侵蚀形貌显微组织照片;
图5是本发明实施例1中采用球磨的TiB2粉末制备的AgTiB2触头材料电弧侵蚀形貌显微组织照片。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
本发明提供一种AgTiB2触头材料的制备方法,如图1所示,按以下步骤实施:
步骤1,球磨
将平均粒径为1~10μm、纯度不低于99.9%的TiB2颗粒在高能球磨机中球磨,磨球为玛瑙球,球料比为20∶1~60∶1,并在球磨机中添加无水乙醇作为过程控制剂,添加量为TiB2粉总质量的2~5%,控制球磨机转速为150~400rpm,球磨时间为60~120h;
步骤2,混粉
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