[发明专利]一种模拟开关及采用模拟开关的冗余存储系统

权利要求书

1.一种模拟开关，其特征在于，所述模拟开关包括：写入控制模块、相变存储单元，相变存储单元中具有相变存储器，其中：

写入控制模块的电流输出端与相变存储单元的第一端连接；

相变存储单元的第二端接地；

相变存储单元的第三端用于与开关信号输入端连接，相变存储单元的第四端用于与开关信号输出端连接。

2.根据权利要求1所述的模拟开关，其特征在于，写入控制模块为镜像电流源。

3.根据权利要求1或2所述的模拟开关，其特征在于，相变存储单元包括相变存储器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管，其中：

第一MOS管的源极接地，第一MOS管的漏极与相变存储器的第一端连接；

第二MOS管的源极与相变存储器的第二端连接，写入控制模块的电流输出端与第二MOS管的漏极连接；

第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极之间连接有反相器，第一MOS管的栅极用于与第一信号控制端连接；

第二MOS管的栅极与第三MOS管的栅极连接，且第二MOS管的栅极与第三MOS管的栅极均用于与第二信号控制端连接；

第三MOS管的源极用于与开关信号输入端连接，第三MOS管的漏极与相变存储器的第二端连接；

第四MOS管的源极与相变存储器的第一端连接，第四MOS管的漏极用于与开关信号输出端连接，第四MOS管的栅极用于与第二信号控制端连接。

4.根据权利要求1或2所述的模拟开关，其特征在于，相变存储单元中具有相变存储器、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管，其中：

写入控制模块的电流输出端与第五MOS管的源极连接，第五MOS管的漏极与相变存储器的第一端连接；

相变存储器的第二端接地；

第六MOS管的源极通过电阻器与开关信号输入端连接，第六MOS管的漏极与相变存储器的第一端连接，第六MOS管的栅极与第七MOS管的栅极连接，第六MOS管的栅极与第七MOS管的栅极用于与第二信号控制端连接；

第五MOS管的栅极通过反相器与第六MOS管的栅极连接，第五MOS管的栅极用于与第一信号控制端连接；

第七MOS管的源极与相变存储器的第一端连接，第七MOS管的漏极通过反相器与开关信号输出端连接。

5.根据权利要求3所述的模拟开关，其特征在于，第一MOS管、第三MOS管、第四MOS管均为NMOS管；第二MOS管为PMOS管。

6.根据权利要求4所述的模拟开关，其特征在于，第五MOS管为PMOS管；第六MOS管、第七MOS管均为NMOS管。

7.一种冗余存储系统，其特征在于，所述系统包括存储模块、冗余存储模块、多根第一字线、多根第二字线、模拟开关，每根第一字线通过一个模拟开关与存储模块连接，用于读取存储模块中存储的信息；每根第二字线通过一个模拟开关与冗余存储模块连接，用于读取冗余存储模块中存储信息；至少两根字线之间连接有模拟开关；其中：所述模拟开关包括：写入控制模块、相变存储单元，相变存储单元中具有相变存储器，其中：

写入控制模块的电流输出端与相变存储单元的第一端连接；

相变存储单元的第二端接地；

相变存储单元的第三端用于与开关信号输入端连接，相变存储单元的第四端用于与开关信号输出端连接。