[发明专利]光学发送装置、光学发送/接收装置、控制方法和控制程序无效
申请号: | 201210036289.3 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102647234A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 岩永浩平 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H04B10/155 | 分类号: | H04B10/155;H04B10/158;H01S3/04;H01S5/024 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 发送 装置 接收 控制 方法 控制程序 | ||
技术领域
本发明涉及光学发送装置、光学发送/接收装置、控制方法和控制程序。更具体而言,本发明涉及通过将发送数据转换为光学信号来输出发送数据的光学发送装置、光学发送/接收装置、控制方法和控制程序。
背景技术
最近,已经得到广泛应用的光学发送/接收装置连接到以高速传输大量信息的光通信网络,以与连接到光通信网络的其他通信设备进行互相的光通信。光学发送/接收装置设置有发送侧电路,其将从主侧装置输出的主信号数据转换为光学信号并将光学信号经由光纤发送到光通信网络侧的设备。
发送侧电路包括作为用于产生激光束的光源,例如激光二极管,以及对所产生的激光束进行调制的电吸收(EA)光学调制器。理想地,将这些模块集成以降低功耗等。在这样的情况下,例如在日本未经审查的专利公开2009-81512(专利文献1)中提出了包括可见波长光源和EA(电吸收)调制器以及热电冷却器的光学发送装置。该光学发送装置被构造为从控制单元向EA调制器输入EA偏压,并基于EA偏压根据调制特性来对从可见波长光源输出的光进行调制。此外,控制单元控制热电冷却器的温度,使得示出EA调制器的温度的EA温度信息成为目标温度。
此外,日本未经审查的专利公开2004-296988(专利文献2)揭示了具有电吸收调制器的激光二极管,电吸收调制器通过热敏电阻检测激光二极管的温度,并在外部温度较低时增大由加热器产生的热量以得到最优温度,而在温度为最优时减少热量。具有电吸收调制器的激光二极管在不使用电冷却器元件的情况下控制激光二极管的温度。
此外,日本未经审查的专利申请Hei 11-126939(专利文献3)揭示了半导体激光调制(LD调制)的温度控制装置,其包括容纳在封装内的TEC(热电冷却器)、PD(光电二极管)、温度检测元件(热敏电阻)、LD芯片等。温度控制装置被构造为当外部温度Ta在半导体激光器的安全温度范围内时不控制LD芯片的温度,并且不向TEC施加珀耳帖电流(Peltier current)。
此外,在NTT Photonics Laboratories的Wataru Kobayashi等人的“Low Power Consumption 1.55μm EADFB Laser”,NTT Techinical Review,2010年11月(Vol.22No.11),第69-73页(非专利文献1)中描述了,通过使用基于砷化铟镓铝的半导体材料(铝基材料)作为用于制造集成EA调制器的DFB(分布反馈)激光器(EA-DFB激光器)的材料,在即使无冷却动作(不控制温度)的情况下也改善了宽温度范围的特性。
但是,在专利文献1中描述的光学发送装置基于FIT(一段时间内的故障)数量、功耗和EA温度来确定阈值(EA温度的值),并通过以温度和EA调制器的波长作为输入信息来控制温度控制电流。光学发送装置被构造为将温度控制电流控制在TA<Tn<Tb(上限温度Ta,目标温度Tn,下限温度Tb)的范围内,由此功率被消耗。
此外,虽然专利文献2揭示了装载发热器以将激光二极管的温度控制在预先设定的界限温度范围内的技术,但是其被设计为控制由发热器产生的热量。
此外,虽然上述专利文献3揭示了包括其电阻值根据半导体激光调制(LD芯片)的温度而变化的热敏电阻,并根据LD芯片的温度来控制LD芯片的温度使得LD芯片的温度落在特定范围(安全范围)内的技术,但是LD芯片的输出特性随着安全范围的温度的变化而变化。
因此,本发明的示例性目的是提供能够获得要被输出的光学信号的良好光输出特性的光学发送装置、光学发送/接收装置、控制方法和控制程序。
发明内容
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