[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

多个栅极电极，所述多个栅极电极在沿着半导体衬底的主表面的第1方向上延伸，且沿所述第1方向排列形成在所述半导体衬底上；

第1绝缘膜，所述第1绝缘膜形成于所述第1方向上相邻的所述多个栅极电极之间；

第2绝缘膜，所述第2绝缘膜在与所述第1方向正交的第2方向上的所述多个栅极电极的侧面，形成在从所述栅极电极露出的所述半导体衬底的上表面；以及

多个接触插塞，所述多个接触插塞配置在所述第1绝缘膜的两侧，并连接于所述半导体衬底，

其中，所述第1绝缘膜及所述第2绝缘膜构成第3绝缘膜，所述第3绝缘膜以覆盖所述半导体衬底及所述多个栅极电极的方式形成，

所述第1绝缘膜上表面的最低位置比所述第2绝缘膜上表面的最低位置高。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第1绝缘膜上表面的最低位置位于比所述多个栅极电极的上表面高的区域。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第1方向上相邻的所述多个栅极电极的相对的侧壁上分别形成的所述第1绝缘膜彼此相互接触。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第1方向上相邻的所述多个栅极电极之间，形成有被所述第1绝缘膜覆盖的空隙。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述多个栅极电极各自的侧壁与所述第1绝缘膜之间形成有侧墙。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述侧墙包括依次层叠在所述半导体衬底上的氧化硅膜及氮化硅膜。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述多个栅极电极的侧壁与所述第1绝缘膜之间隔着包含氧化硅膜的第4绝缘膜，所述第4绝缘膜沿着所述多个栅极电极的侧壁及所述半导体衬底的上表面连续地形成。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

多个栅极电极，所述多个栅极电极在沿着半导体衬底的主表面的第1方向上延伸，且沿所述第1方向排列形成在所述半导体衬底上；

第1绝缘膜，所述第1绝缘膜形成于所述第1方向上相邻的所述多个栅极电极之间；以及

多个接触插塞，所述多个接触插塞配置在所述第1绝缘膜的两侧，并连接于所述半导体衬底，

其中，所述第1绝缘膜构成第3绝缘膜，所述第3绝缘膜以覆盖所述半导体衬底及所述多个栅极电极的方式形成，

所述第1绝缘膜上表面的最低位置位于比所述多个栅极电极上表面高的区域。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，在所述第1方向上相邻的所述多个栅极电极之间，形成有被所述第1绝缘膜覆盖的空隙。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，在所述多个栅极电极各自的侧壁与所述第1绝缘膜之间形成有侧墙。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述侧墙包括依次层叠在所述半导体衬底上的氧化硅膜及氮化硅膜。

12.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，在所述多个栅极电极的侧壁与所述第1绝缘膜之间隔着包含氧化硅膜的第4绝缘膜，所述第4绝缘膜沿着所述多个栅极电极的侧壁及所述半导体衬底的上表面连续地形成。