[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201210035696.2 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103258812A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
1.一种具有测试元件的衬垫下器件，包括衬垫和位于所述衬垫下方的半导体器件，其特征在于，所述测试元件由四块多晶硅电阻构成，其中：
两块电阻值相同的第一多晶硅电阻和第四多晶硅电阻位于所述衬垫下方所覆盖范围之内，另两块电阻值相同的第二多晶硅电阻和第三多晶硅电阻位于所述衬垫下方所覆盖范围之外；
所述四块多晶硅电阻构成一具有两个支路的并联电路；
所述并联电路的第一支路由所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之内的第一多晶硅电阻和所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之外的第二多晶硅电阻依次串联构成；
所述并联电路的第二支路由所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之外的第三多晶硅电阻和所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之内的第四多晶硅电阻依次串联构成。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，当一应力作用于所述衬垫下器件时，所述第一多晶硅电阻和第四多晶硅电阻的电阻值偏离其本身固有的电阻值一定的数值。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述电阻值偏离数值的大小与所述第一和第四多晶硅电阻本身固有的电阻值的大小无关。
4.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述电阻值偏离数值的大小与所述应力的大小呈线性关系。
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述应力包括实施引线键合封装时作用于所述衬垫下器件的应力。
6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述多晶硅电阻由掺杂硼的多晶硅构成。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述多晶硅电阻与所述半导体器件的一部分同时形成。
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