[发明专利]芯片堆叠封装结构

权利要求书

1.一种芯片堆叠封装结构，其特征在于，包括有：

n个芯片互相堆叠；以及

n个电子传递链与所述芯片连接，且各所述电子传递链呈螺旋状且彼此互相隔绝。

2.根据权利要求1所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述电子传递链与一芯片选择信号电耦合。

3.根据权利要求1所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于各所述芯片结构彼此相同。

4.根据权利要求3所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述芯片包括n个直通硅晶孔穿透所述芯片，排序第k的所述直通硅晶孔与相邻的所述芯片上排序第k+1的所述直通硅晶孔连接，排序第n的所述直通硅晶孔与相邻的所述芯片上排序第1的所述直通硅晶孔连接，其中1≤k≤n且n≥2。

5.根据权利要求4所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述直通硅晶孔与其它芯片上的所述直通硅晶孔是借由一导线元件连接。

6.根据权利要求5所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述导线元件包括一底层以及一顶层。

7.根据权利要求6所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述导线元件更包括一连接元件位于所述底层以及所述顶层之间。

8.根据权利要求7所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述导线元件包括有一重分配层。

9.根据权利要求8所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述连接元件包括一焊点。

10.根据权利要求7所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述导线元件包括一金属互连系统。

11.根据权利要求10所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述连接元件包括一穿孔插塞，所述顶层包括一衬垫层。

12.根据权利要求6所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于各所述电子传递链包括位在所述芯片上的一个直通硅晶孔、一个底层以及一个顶层。

13.根据权利要求1所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述n个芯片形成一第一芯片组。

14.根据权利要求13所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于更包括另一组数量为n的芯片形成一第二芯片组，且所述第一芯片组是位在所述第二芯片组上。

15.根据权利要求14所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述第一芯片组与所述第二芯片组结构上相同。

16.根据权利要求15所述的芯片堆叠封装结构，其特征在于所述第一芯片组与所述第二芯片组皆同时与一芯片选择信号电耦合。

17.一种芯片堆叠封装结构，包括有一类DNA互连结构，位在多个芯片中，特征在于所述类DNA互连结构包括多个由金属层组成并呈现螺旋状的电子传递链，位在所述芯片以及多个直通硅晶孔内部或上方，使所述芯片互相连接。