[发明专利]一种硅钢级氧化镁涂层的制备方法有效
| 申请号: | 201210035085.8 | 申请日: | 2012-02-17 |
| 公开(公告)号: | CN103253875A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
| 发明(设计)人: | 孙光 | 申请(专利权)人: | 孙光 |
| 主分类号: | C04B2/10 | 分类号: | C04B2/10 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 113006 辽宁省抚顺*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅钢 氧化镁 涂层 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种镁化合物的制备方法,具体为一种专用于取向硅钢片的硅钢级氧化镁涂层的制备方法。
背景技术
硅钢级氧化镁涂层是专用于取向硅钢片的制备过程中作为高温退火隔离剂使用的。硅钢级氧化镁涂层在取向硅钢片高温退火中的主要作用是防止硅钢片钢卷在高温退火中烧结、除去硅钢片中的硫、磷等杂质。据调查我国高纯氧化镁市场需求量近10万吨,而国内产品却很少,缺口相当大,这给高纯氧化镁生产,发展提供了机遇和有利条件。目前国内外用于制备氧化镁的方法有盐卤纯碱法、白云石,蛇纹石碳化法、卤水碳铵法等。在专利CN200610012973.2中公开了一种采用盐卤纯碱法生产硅钢级氧化镁的方法,通过精制氯化镁溶液与精制碳酸钠溶液在温度为65-85℃、时间为5-15分钟进行反应,生成碱式碳酸镁,然后经熟化、过滤后在温度为1100±50℃、时间为2.0±0.5小时下进行煅烧,可得氧化镁。以上方法存在诸如工艺流程长、原料利用率低、生产成本高、污染环境、产品镁含量低、化学纯度低等问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种硅钢级氧化镁涂层的制备方法,解决现有硅钢级氧化镁的制备方法工艺流程长、最终产品的化学纯度低以及物理性能差等缺陷。
为达到上述目的,本发明提供了一种硅钢级氧化镁涂层的制备方法,包括以下工艺步骤:
步骤A:选用天然隐晶质菱镁矿生产出轻烧氧化镁粉;
步骤B:将轻烧氧化镁消化,酸碱中和脱钙,在温度为15-30℃、时间为5-15分钟进行反应,生成氢氧化镁,然后经水洗、过滤、干燥后在温度为1100±50℃、时间为2.0±0.5小时下进行煅烧,可得高纯轻烧氧化镁粉;
步骤C:利用气流磨加工成所需要的微米级粒度段。
本发明选用天然隐晶质菱镁矿生产的98%以上的氧化镁,氧化钙0.8-1.0%;按工艺方法处理后达到氧化镁≥99%,氧化钙≤0.5%的低钙,氯根小于0.03%的高纯氧化镁。本发明所生产的硅钢级氧化镁涂层具有化学纯度高、杂质离子低,悬浮性好,水化率低,涂布性、附着性好等特点;其物理性能远优于同类产品,是生产取向硅钢片的良好退火隔离剂;而且生产工序简单、大幅度降低生产成本。
具体实施方式
实施例一:选用天然隐晶质菱镁矿生产出轻烧氧化镁粉;将轻烧氧化镁消化,酸碱中和脱钙,在温度为15℃、时间为5分钟进行反应,生成氢氧化镁,然后经水洗、过滤、干燥后在温度为1050℃、时间为1.5小时下进行煅烧,可得高纯轻烧氧化镁粉;利用气流磨加工成所需要的微米级粒度段。
实施例二:选用天然隐晶质菱镁矿生产出轻烧氧化镁粉;将轻烧氧化镁消化,酸碱中和脱钙,在温度为20℃、时间为10分钟进行反应,生成氢氧化镁,然后经水洗、过滤、干燥后在温度为1100℃、时间为2.0小时下进行煅烧,可得高纯轻烧氧化镁粉;利用气流磨加工成所需要的微米级粒度段。
实施例三:选用天然隐晶质菱镁矿生产出轻烧氧化镁粉;将轻烧氧化镁消化,酸碱中和脱钙,在温度为30℃、时间为15分钟进行反应,生成氢氧化镁,然后经水洗、过滤、干燥后在温度为1150℃、时间为2.5小时下进行煅烧,可得高纯轻烧氧化镁粉;利用气流磨加工成所需要的微米级粒度段。
经实践,本发明方法制成的硅钢级氧化镁涂层其技术指标如表1所示:
表1技术指标
以上具体实施方式仅用于说明本发明,而非用于限定本发明,本领域技术人员对上述实施例进行的等同变形、替换都在权利要求保护范围之内。
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