[发明专利]3D结构非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

沟道结构，所述沟道结构每个都沿着第一方向延伸，其中所述沟道结构每个都包括交替层叠的沟道层和层间电介质层；

源极结构，所述源极结构沿着与第一方向交叉的第二方向延伸并且与沟道结构的端部连接，其中，所述源极结构包括交替层叠的源极线和层间电介质层；以及

字线，所述字线沿着第二方向延伸并且被形成为围绕所述沟道结构。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括位于所述字线的一侧的漏极选择线，所述漏极选择线为形成为围绕所述沟道结构并且沿着所述第二方向延伸。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括形成在所述字线的另一侧的源极选择线，其中所述源极选择线形成在所述沟道结构中的每个中。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述源极选择线以交错的形式布置。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述源极线分别与沟道层耦接，并且所述源极线形成在与各个沟道层相同的层中。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述源极结构的端部被图案化成阶梯状，使得所述源极结构中所包括的所述源极线的端部暴露出来。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器件，还包括分别与所述源极线耦接的源极拾取线。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

漏极接触插塞，所述漏极接触插塞形成在所述沟道结构中的每个中，且与所述沟道结构中所包括的所述沟道层耦接；

源极接触插塞，所述源极接触插塞分别与所述源极选择线耦接；以及

位线，所述位线与所述沟道结构中的每个中的所述漏极接触插塞和所述源极接触插塞耦接并且沿着所述第一方向延伸。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述字线的上部被硅化。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述源极结构的所述源极线被硅化。

11.一种非易失性存储器件，包括：

沟道结构，所述沟道结构每个都形成为包括交替层叠的沟道层和层间电介质层；

源极线，所述源极线与所述沟道结构中所包括的各个沟道层耦接；以及

位线，所述位线与所述沟道结构中的每个中所包括的所述沟道层耦接。

12.一种非易失性存储器件，包括：

沟道结构，所述沟道结构沿着第一方向延伸，其中，所述沟道结构每个都包括交替层叠的沟道层和层间电介质层；

源极结构，所述源极结构沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸，所述源极结构与所述沟道结构的端部连接，并且包括交替层叠的源极线和层间电介质层；

字线，所述字线沿着所述第二方向延伸并且被形成为围绕所述沟道结构；

漏极选择线，所述漏极选择线形成在所述字线的一侧上，所述漏极选择线被形成为围绕所述沟道结构并且沿着所述第二方向延伸；

源极选择线，所述源极选择线形成在所述字线的另一侧上，其中所述源极选择线分别形成在所述沟道结构中；以及

位线，所述位线沿着所述第一方向延伸并且与所述沟道结构的所述沟道层和源极选择线耦接。

13.如权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，在读取操作中，

施加读取电压到所述字线并且施加工作电压到所述漏极选择线，

施加操作电压到所述沟道结构中的选中的沟道结构的位线和源极选择线，其中选中的存储串的源极线被接地，且施加所述工作电压到未选中的存储串的源极线，并且

与所述沟道结构中的未选中的沟道结构耦接的位线和源极选择线被接地。

14.如权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，在编程操作中，

将所述漏极选择线接地，施加编程电压到所述字线中的选中的字线，并且施加通过电压到所述字线中的未选中的字线，

施加工作电压到与选中的沟道结构耦接的位线和源极选择线，其中选中的存储串的源极线被接地，且施加所述工作电压到未选中的存储串的源极线，并且

与所述沟道结构中的未选中的沟道结构耦接的位线和源极选择线被接地。