[发明专利]4-芳基嘧啶荧光化学传感器及其应用无效

专利信息
申请号: 201210034836.4 申请日: 2012-02-16
公开(公告)号: CN102608087A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 梅群波;翁洁娜;黄维;范曲立;童碧海;张彬;蒋渊知 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 叶连生
地址: 210003 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 嘧啶 荧光 化学 传感器 及其 应用
【权利要求书】:

1.一类4-芳基嘧啶荧光化学传感器,其特征是,具有下述通式(1)、通式(2)、通式(3)或通式(4)的结构:

其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基以及取代杂环芳基。

2.根据权利要求1所述的4-芳基嘧啶荧光化学传感器,其特征是通式(1)、通式(2)、通式(3)或通式(4)的化合物,芳基或取代芳基是苯、萘、苊、蒽、菲、芘、苝、芴、螺芴及含其取代基的衍生物;杂环芳基或取代杂环芳基是吡咯、呋喃、噻吩、咔唑、硅芴、磷芴、吖啶、吖啶酮或含取代基的衍生物。

3.根据权利要求2所述的4-芳基嘧啶荧光化学传感器,其特征是芳基或杂环芳基的取代基为卤素、烷基、烷氧基、氨基、羟基、酯基、硼酸酯基、芳氧基、芳香基或杂环取代基。

4.根据权利要求2所述的4-芳基嘧啶荧光化学传感器,其特征是芳基或杂环芳基的取代基的个数为1-5个。

5.根据权利要求1所述的4-芳基嘧啶荧光化学传感器在检测金属离子中的应用。

6.根据权利要求5所述的4-芳基嘧啶荧光化学传感器的应用,其特征是,所述金属离子为Hg2+

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