[发明专利]4-芳基嘧啶荧光化学传感器及其应用无效
申请号: | 201210034836.4 | 申请日: | 2012-02-16 |
公开(公告)号: | CN102608087A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 梅群波;翁洁娜;黄维;范曲立;童碧海;张彬;蒋渊知 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 叶连生 |
地址: | 210003 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 嘧啶 荧光 化学 传感器 及其 应用 | ||
1.一类4-芳基嘧啶荧光化学传感器,其特征是,具有下述通式(1)、通式(2)、通式(3)或通式(4)的结构:
其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基以及取代杂环芳基。
2.根据权利要求1所述的4-芳基嘧啶荧光化学传感器,其特征是通式(1)、通式(2)、通式(3)或通式(4)的化合物,芳基或取代芳基是苯、萘、苊、蒽、菲、芘、苝、芴、螺芴及含其取代基的衍生物;杂环芳基或取代杂环芳基是吡咯、呋喃、噻吩、咔唑、硅芴、磷芴、吖啶、吖啶酮或含取代基的衍生物。
3.根据权利要求2所述的4-芳基嘧啶荧光化学传感器,其特征是芳基或杂环芳基的取代基为卤素、烷基、烷氧基、氨基、羟基、酯基、硼酸酯基、芳氧基、芳香基或杂环取代基。
4.根据权利要求2所述的4-芳基嘧啶荧光化学传感器,其特征是芳基或杂环芳基的取代基的个数为1-5个。
5.根据权利要求1所述的4-芳基嘧啶荧光化学传感器在检测金属离子中的应用。
6.根据权利要求5所述的4-芳基嘧啶荧光化学传感器的应用,其特征是,所述金属离子为Hg2+。
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