[发明专利]射频半集成应用装置

权利要求书

1.一种射频半集成应用装置，包括基板，其特征在于：该基板从上至下依序包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层；且该基板分为相邻的数字区和射频区，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述数字区；所述第一金属层、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层和第八金属层依序覆盖所述射频区；相邻金属层之间通过介质层相互绝缘。

2.根据权利要求1所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该射频半集成应用装置包括设置在射频区并依序电连接的射频输入单元、低噪放单元、射频滤波器、可变增益放大器、集成变频器件、中频放大管、抗混叠滤波器，以及设置在数字区并与该抗混叠滤波器电连接的数字处理单元。

3.根据权利要求2所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该射频半集成应用装置还包括与该集成变频器件电连接的纹波抑制电路。

4.根据权利要求3所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该射频半集成应用装置还包括与该集成变频器件电连接的参考源电路。

5.根据权利要求3所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该纹波抑制电路包括低压差线性稳压器和三端电容，该低压差线性稳压器和三端电容之间、及该三端电容与集成变频器件之间通过供电线连接。

6.根据权利要求4所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该集成变频器件集成了混频器和锁相源，该参考源电路为锁相源提供参考时钟，进而输出本振信号给混频器，通过该混频器输出中频信号至该中频放大管。

7.根据权利要求2至6中任一权利要求所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该可变增益放大器集成了可变衰减器和射频放大管，信号依序通过该可变衰减器和射频放大管处理后输出至该集成变频器件。

8.根据权利要求5所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该三端电容与集成变频器件之间的供电线的长度小于3cm。

9.根据权利要求8所述的射频半集成应用装置，其特征在于：该三端电容与集成变频器件之间的供电线的长度小于1cm。