[发明专利]上部电极和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种平行平板型的等离子体处理装置用的上部电极，包括：

由电介质形成的基材；和

导电体层，在所述基材的表面中，至少在所述等离子体处理装置的下部电极侧的表面的一部分上形成，

所述导电体层以所述下部电极侧的表面的外侧区域比内侧区域密的方式具有疏密的图案。

2.如权利要求1所述的上部电极，其特征在于：

所述导电体层具有从所述上部电极的外侧向内侧突出的梳齿状的图案、从所述上部电极的外侧向内侧突出的新月状的图案、从所述上部电极的外侧向内侧开口的图案中的任一种的疏密的图案。

3.如权利要求1或2所述的上部电极，其特征在于：

所述导电体层的疏密的图案和该导电体层的边界，位于比载置于所述下部电极的晶片的外端部更靠内侧。

4.如权利要求3所述的上部电极，其特征在于：

所述导电体层，在所述导电体层和该导电体层的疏密的图案的边界从所述上部电极的内侧至外侧连续变密。

5.如权利要求1至4任一项所述的上部电极，其特征在于：

所述导电体层为接地电位。

6.如权利要求2所述的上部电极，其特征在于：

所述导电体层，通过所述梳齿状的齿的根数、所述齿的长度和所述齿间的宽度的至少任一者来形成疏密的图案。

7.如权利要求6所述的上部电极，其特征在于：

所述疏密的图案由至少不同的三种长度的所述梳齿状的齿形成，从所述上部电极的中心至最长的梳齿的前端的距离是35～50mm，从所述上部电极的中心至中间长度的梳齿的前端的距离是60～90mm，从所述上部电极的中心至最短的梳齿的前端的距离是100～125mm。

8.如权利要求1～7任一项所述的上部电极，其特征在于：

所述基材由氧化铝(Al₂O₃)或氮化铝(AlN)的任一种形成。

9.如权利要求1～8任一项所述的上部电极，其特征在于：

还包括覆盖所述基材和所述导电体层的保护层。

10.如权利要求1～9任一项所述的上部电极，其特征在于：

多根气体导入管贯穿所述上部电极的基材。

11.一种等离子体处理装置，其为相对配置有上部电极和下部电极的平行平板型的等离子体处理装置，其特征在于：

所述上部电极，包括：

由电介质形成的基材；和

导电体层，在所述基材的表面中，至少在所述等离子体处理装置的下部电极一侧的表面的一部分上形成，

所述导电体层具有以所述下部电极侧的表面的外侧比内侧密的方式具有疏密的图案。

12.如权利要求11所述的上部电极，其特征在于：

所述基材由氧化铝(Al₂O₃)或氮化铝(AlN)的任一种形成。